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사용하여 Si의 DC 저항치를 계산하라.
4) DC저항
5) 점화 전위 1. 사전지식
1) 다이오드 전류
2) 다이오드
2. 실험절차
1) 점화 전위
2) DC저항
3) 역방향 바이어스
4) 순방향 바이어스 다이오드 특성
5) 다이오드 테스트
3. 분석 및 토의
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실험은 다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류회로에 관한 실험으로 실험 1장에서의 다이오드의 순방향 바이어스 전류 통과 특성을 이용하여 결과 값을 도출해 내는 실험이다. 먼저 첫 번째 실험 반파 정류회로의 결과를 보면 교류의 입력 전
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실험.NMOS 증폭기
1.Orcad 결과
<공통 - 소스 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측정
-회로-
-파형-
3) 출력 저항 측정
-회로-
-파형-
<공통 - 게이트 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측
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실험결과분석 : 555timer를 이용하여 PWM 파형을 볼 수 있었던 실험이였다.
이 실험은 주기와 Duty Ratio, 캐패시터만 설정하면 회로에 쓰이는 R_a,R_b를 계산식으로 구할 수 있다. 실험을 하면서 설정한 값들은 다음과 같다.
≪ … 중 략 … ≫
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실험. BJT 차동 증폭기
1.Orcad 결과
<차동쌍의 컬렉터 전류 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 차동 출력 전압 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력 및 출력 전압 파형>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력
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실험결과분석 :
≪ 표 - 그림 파일 ≫
기본 회로를 구성하고 각각의 point에서의 파형과 output의 파형을 찍어 위상차가 얼마나 발생하였는지 구해 보았다. 첫 번째 TP1에서는 파형을 통해 구한 위상차는
69.545° 이론값을 이용하요 구
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실험결과
1) 실험 1 : 맥박 측정기(Hardware)
≪ 사 진 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
실험결과분석 : 회로도는 센서부 -> 2차 HPF -> 2차 LPF -> 증폭기(911배) -> 2차 HPF ->
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실험. 비안정 멀티바이브레이터(구형파 발생기)
1.Orcad 결과
<비안정 멀티바이브레이터 회로의 발진 파형들>
-회로-
-파형-
(입력 전압)
(출력 전압)
2.오실로스코프 파형
(Ch 1 : "-"입력 전압 , Ch 2 : "+"입력 전압)
(Ch 1 : 출력 전압)
3. 고찰
이번
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실험은 윈-브리지 발진기에 대한 실험이었다.
매번 실험 때마다 함수 발생기를 사용해서 발진 파형을 사용했는데 발진 파형을 회로를 구성해서 생성 해내는 실험이었다.
이론 값 , 실험 값 , 시뮬레이션 값이 틀렸지만 실험에는 언제나 오차가
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실험하기 위한 회로를 그림 18.8에 나타냈다. 그림에서 트랜지스터 Q3와 Q4는 저항기 RB와 함께 정전류 전원을 형성한다. 이 회로에서 RB = 33 KΩ, RC1= RC2 = 20KΩ, VCC=-VEE=15V 이고 트랜지스터의 β=150이다. 증폭기의 바이어스 전류 IEE를 구하라.(단,
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