|
다.
실험 2는 실험 1과 비슷한 회로인데 RC회로가 RL회로로 바뀌었다는 것과 실험 1에서는 에 해당하는 커패시터에 걸리는 전압을 측정했다가, 실험 2에서는 에 해당하는 저항에 걸린 전압을 측정했다는 차이가 있습니다. 이것을 제외하면 유사
|
|
|
회로소자 값 을 만족해야하는 것을 알 수 있다.
실험
(1) <그림 16.1>의 회로 (R=1 [k], C=0.01 [uF], L=10 [mH])를 구성하고 신호발생기로부터 발생된 진폭이 5 [V]이고 주파수가 5 [kHz]인 구형파 신호 를 회로에 인가한다. 와 커패시터 양단에 걸리는
|
|
|
실험은 RLC 2차회로의 스텝 응답을 해석하고, RLC 2차회로의 과제동 응답, 임계제동 응답, 부족제동 응답을 확인하는 실험이었습니다. RLC 회로에서 공식 을 이용하여 계산한 후 인 것을 이용하여 실험의 응답을 확인할 수 있었습니다.
실험 (1)은
|
|
|
때 TM기 모드가 활성화되어 외부 디바이스에서 아날로그 신호를 얻을 수 있습니다.
이번 실험은 실험 (4)와 실험 (5) 모두 결과 값이 이론값과 비슷하게 나왔습니다. 이론값은 실험부분의 표 아래에 적어두었습니다. 실험
비고 및 고찰
|
|
|
1. 실험 목적
1) 회로의 분석에 사용되는 테브난과 노턴의 정리를 이해하고 응용하는 능력을 키운다.
2) 테브난 실험 회로도를 설계하여 전압원과 전류원의 등가회로를 구한다.
2. 실험용 기기 및 부품
1) 디지털 멀티미터
2) 브레드보드
3)
|
|
|
실험 결과를 이용하여 전압 vs 전류 그래프 그리기
-
-
-
저항별로 근사화된 직선을 얻고, 그 직선으로부터 저항값을 산출
부품
저항1
저항2
저항3
저항값 ()
1.00
1.50
2.20
저항1의 저항값 : = 1
저항2의 저항값 : = 1.50
저항3의 저항값 : = 2.20
※시뮬레
|
|
|
회로도에서 보이듯이 각각의 세그먼트를 한 포트에 연결해 놓고, 다른 포트에서 Common 단자를 일일이 선택해가면서 출력을 빠르게 전환하는 Dynamic display 방식으로 출력하고 있다. 세그먼트가 출력하는 시간은 3ms로 실험을 통해 가장 알맞은 시
|
|
|
3. 오차 분석
실험에서 측정된 축전기의 정전용량이 축전기 정전용량이 330 µF에서는 오차율이 모두 10% 이하로 비교적 정확히 측정되었고, 축전기 정전용량이 100 µF에서는 비교적 오차가 크게 발생하였다. 특히 방전 시에는 오차가&nbs
|
|
|
전자 제어 서스펜션의 차고센서, 스티어링 각 속도 센서에 사용되고 있다.
Photo interrupter 회로도
발광 소자에 순전류(IF)를 흘려 발광시키면 수광소자에서 광을 받아 광전류가 발생한다. 수광소자와 발광소자 사이에 불투명물체가 오면 광은 차
|
|
|
회로시간에 배웠던 기본적인 연산기로서 크게 고민을 하지 않고 실험 시간에 임하였는데 예상과 다르게 프로그래밍 하는 부분에서 지연되었다. 코딩 자체가 복잡한 것은 아니었으나 y와 m을 모두 xor연산 해주는 것을 잊고 하나의 y만 m과 xor
|
|
메뉴펼치기
