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즉, 1×4 디먹스가 두 개 가 연달아 붙어있는 것이다. 그리고 특징적인 것은 입력단인 G값에 LOW가 입력되어야만 Eable한 상태가 되며, 출력단도 역시 ACTIVE LOW 로서 동작한다. 칩의 구조는 절반으로 잘라서 생각했을 때 왼쪽(1~7번핀)이 하나의 1×4
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LED를 이용한 전자주사위
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실험 3. 병렬연결
1. 1kΩ에서 9kΩ까지의 저항 3개를 병렬로 연결하고 전원의 출력전압을 10volt 부근에 맞춘 후, 전체의 전압 V 와 전류 I를 측정한다.
2. 전류계를 저항 R1밑에 삽입하여 전류 I1을 측정한다. 마찬가지 방법으로 I2 I3을 측정한다.
3.
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실험결과를 통해 스트레인 게이지의 원리에 대해 다시 한 번 느끼게 되었다. 먼저 인장에 따른 게이지 변화는 앞서 그래프에서 보듯 변위에 따른 저항의 변화를 측정 전위차를 통해 각각의 신장률을 측정할 수 있었다. 이에 따라 그 게이지의
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(CC등이 켜진 상태) 될 경우에는 즉시 출력 전압을
0으로 내리고, 부하의 이상 유무와 5에서의 값을 점검해야 한다. 문제가 해결되면 6 또는 8부터
다시 시작한다.
10.부하에 제 2의 다른 전원이 연결되는 경우, 이 때 전압이 본 전원 공급기의 출
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구한다. 실제로 실험한 실험에서 캐패시터의 숫자가 473이라고 쓰여 있었으므로 실험한 캐패시터의 용량은 47000[pF]이므로 0.047[F]이 된다.
이 캐패시터들의 평균 측정값과 이론값을 이용하여 오차율을 구해보면
가 된다.
또다른 캐패시터의 숫
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실험에서는 0.47[]의 캐패시터 대신 0.3[nF]의 캐패시터 사용)
⇒
48.99[nF] =0.04899[F]
57.88[nF] =0.05788[F]
48.35[nF] =0.04835[F]
62.56[nF] =0.06256[F]
59.68[nF] =0.05968[F]
60.06[nF] =0.06006[F]
48.99[nF] =0.04899[F]
61.05[nF] =0.06105[F]
59.46[nF] =0.05946[F]
▶ 10개 캐패시터의 측정값
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6V로 이론값과 매우 유사한 값이 나왔습니다.
네 번째 실험은 연산증폭기를 비반전 증폭기로 이용한 실험이었고 공식을 이용하여 이론값 35V=15V를 구할 수 있고, 측정값도 14.260V로 유사한 값이 나왔습니다.
다섯 번째 실험은 연산증폭기를 이용
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실험을 반복한다. 역시 5초동안 2.5번 왕복했다. 눈으로 시간과 오실로스코프를 함께 측정하기에는 무리가 있어 정현파와의 비교는 쉽지 않았다. 하지만 명확히 알 수 있는 차이점은 점의 이동속도가 다르다는 것이다. 정현파에서는 속도의 변
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실험의 시작점으로 하면 됨.
ㅊ.
ㅋ. 충전현상의 데이터에서는 t가 각각 되는 시점, 즉, V가 가 되는 시간 을 기록
ㅌ. 방전현상의 데이터에서는 t가 τ가 되는 시점, 즉 V가 인 시간 과
을 통과하는 시점 기록
ㅍ. 디스켓에 저장
[3부 데이터 분석
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