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회로[그림 25-2(d)]에 대입하여 전류 에 대해 풀 면 다음과 같이된다.
2-3. 테브닌 정리의 실험적 증명
특정 회로망에서 부하 에 대한 와 의 값을 측정에 의해 결정 할 수 있다. 안정화된 전원 공급기의 출력을 로 맞추고, 여기에 저항 값이 인 저항
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회로를 완성시키면된다. 또한 위에서 완성시킨 테브난 등가회로에서 부하 저항에 흐르는 전류와 전압은 위에서와마찬가지로 구할수 있다.
실험 도구- 직류전원 공급기- 디지털 멀티미터- 저항 100 (저항의 몸 띠 색 : 갈색, 흑색, 갈색) 저항 220
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회로에서만 가능하며, 선형회로라도 전압이나 전류를 계산할 때는 사용 가능하나, 전력은 회로변수인 전압이나 전류의 비선형함수 이므로 각 성분 전분 전역의 합으로 전체 전력을 구할 수는 없다.
▶ 실험방법
5. 실험 방법
(1) 중첩의 원리를
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는 시간이고, 회로에 전압을 빼 줄 때의 지연 시간은 소자에 전자가 충전되는 시간이다. 반도체에 전자가 유기되어 채널을 형성하고 문턱 전압에 도달하는데 걸리는 시간(0에서 Vth까지 걸리는 시간)과 전자가 방전되어 문턱 전압보다 낮아질
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회로를 구성하여 분기점에서 빠져나가는 전류와 들어오는 전류의 합은 0 이라는 것을 증명 하고자 했다. 실험 결과는 키르히호프 법칙이 성립한다는 사실을 알 수 있는 결과가 나왔다. 키르히호프 전류법칙을 적용하는 데 있어서는 이론적인
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회로의 정상상태응답
회로함수의 응답을 페이저 관계식으로 바꿔쓰면
인 관계가 성립한다. 그러므로 정상상태의 응답 x(t)는
가 된다.
3. 실험 장비 및 부품
① 함수 발생기 1대
② DC 전원장치
③ 오실로스코프 1대
멀티미터 1대
가변저항기(de
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실험을 할 때마다 다른 결과가 나왔다. 또 우리 조는 특이하게 용수철의 탄성력이 좋아서 30g중의 추로는 잘 늘어나지 않아 50g중 짜리로 실험하느라고 6번째 실험은 못했었다. 정확히 잰다고 노력은 했지만 재면서 눈금을 잘 못 읽거나 오차가
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실험 방법
4.1 트랜지스터에 의한 전류 증폭 실험
- Logic L뮤 Unit에 장착된 브레드보드를 이용하여 회로를 구성한다.
- 트랜지스터의 베이스 입력의 저항 을 330Ω으로 한다.
- 베이스 단의 입력 전압을 5V로 하고, 트랜지스터의 콜렉터 단의 입력
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실험오차 =
6.결론 및 토의
첫 번째 실험은 옴의 법칙을 통하여 저항과 전류의 관계, 전류는 전압 대 저항의 비와 같다는 것이 실험결과가 옴의 법칙을 만족하는가를 알아보는 실험이다.
두 번째 실험은 저항회로로 전기회로의 동작에 관여하
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회로를 연결한 경우의 출력 파형을 오실로스코프로 비교하라.
왼쪽 사진에서 아래의 것이 기계적 스위치만 사용한 경우이고 위의 것이 기계적 스위치 다음에 debouncing 회로를 연결한 경우 이다.
(4) 실험 3에서 R=S=1 일 때 Q, 는 어떤 상태의 출력
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