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실험에 대한 고찰 >
이번 실험은 가청주파수대에서 저항의 레지스턴스가 주파수와는 관계가 없음을 실험을 통하여 증명하여 보고, 인덕터의 리액턴스가 증가하면 주파수도 선형적으로 증가함을 실험을 통하여 알아보았다. 그리고 캐퍼시
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실험자가 누구냐에 따라서 눈금을 읽는 것이 달랐으며, 항온수조는 각각의 온도에서 온도가 약간 내려가거나 올라가는 경우가 생기기 때문에 오차가 생길수가 있다. RTD의 경우, 브릿지 회로를 구성할 당시의 저항내부 오차와 도선과 브레드
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실험의 목적은 저항을 통하여 캐패시터가 충, 방전되는 시간을 실험적으로 결정하는 것이다. 이번시간에 알아야 중요한 용어가 있는데 바로 RC 시정수이다. RC시정수란 RC가 직렬로 연결된 회로에서 캐패시터를 일정한 값까지 충방전하는데 걸
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기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음극 스퍼터링의 몇 가지 특수한 장치
③ 저압 음극 스퍼터링
④ 이온 프레이팅과 이온빔을 이용한 방법
5) 막의 두께 측정방법
6) 향후의 전망
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- 암 진단용 DNA칩
- 랩온어칩 대량생산 시대 개막
- [화장품] 나노기술 적용 신제품 잇따라
- 나노 기술로 수퍼 군복 개발
- 전자파 차단 고분자 분말 제조 성공
- 나노기술로 만든 사파이어
11. 근원적인 변화로써의 나노테크
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실험내용
(1) 전지와 전구
(2) 전기 회로
(3)전류와 자기장
(4)전자석
2.분석
(1) 전자석 만들기
(2) 전자석에 붙은 물체와 붙지 않는 물체
(3) 전자석의 극 찾기
(4) 전류의 방향과 전자석의 극
(5) 에나멜선을 감은 수와 전자석의 세기
(6)
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회로를 구성하였다.
L = 94.75uH , C = 60.64uF , 시비율 = 37% , 동작주파수 50kHz 로 최종회로를 설계하였다. 소자의 특성으로 인해 처음 설계한 값으로는 오차가 생겨 시비율(k)을 높여 원하는 출력전압을 얻었고 , 커패시터값을 높게 하여 리플전압을
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<Compare with data sheet>
Figure 18 shows that Eon is growing higher when peak drain current is higher. And this is totally same result with my chart.
<데이터시트와의비교>
18번그림에서Eon이peak drain current가커질때같이커짐을알수있다. 이결과는내차트와완벽히일치
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. 마지막으로, 실험 결과를 분석하고, 이론과 실험 결과 간의 차이를 비교하여 차원 높은 이해를 도모할 계획이다. 이를 통해 오실레이터 설계에 대한 종합적인 학습이 이루어질 것이며, 실습 후에는 관련 문서화 작업을 통해 얻은 지식과 경
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1. 실험제목
2. 실험목표
3. 실험이론
4. 실험방법
5. 실험결과
6. 결론 및 고찰
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