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정류, 스위칭), 제너 다이오드 종합 그래프
출처 : 네이버 블로그
(http://blog.naver.com/exclusive81?Redirect=Log&logNo=20034912438)
* 고찰
이번 실험의 목적은 p-n접합형 반도체 다이오드의 정 특성과 제너다이오드의 역 특성을 측정하고 다이오드의 정류작용
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정류 작용)을 한다
• 기능
한쪽 방향으로만 하는 정류작용을 가지고 있어서, 교류회로를 직류회로로 바꿀때도 쓰이고, 스위치 작용으로도 사용 되고 ic(직접회로)에서도 많이 사용
다이오드의 기능(정류작용)
• 반파정류
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정류기의 여과작용
조건
피크전압 υA
피크전압 υB
υBvalley
다이오드 도통시간
υripple
실험치
이론치
1㏀, 100uF
8V
9.6V
8.8V
208uS
0.8V
9.6mV
10㏀, 100uF
9.6V
7.6V
7.0V
250uS
1V
80mV
1㏀, 200uF
8V
7.6V
7.0V
260uS
1V
48mV
측정
a) 오실로스코프로 노드 A와 B의 파형을 획
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을 모두 한쪽 방향으로 흐르게 하는 정류회로이다. 각 다이오드에 가해지는 바이어스 조건이 반파장마다 서로 반대(+), (-) 가 되지만 저항 R에서의 전류방향이 일치하기 때문에 정류파형은 그림2와 같이 출력파형으로 표시된다. 이때 입력파형
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LOUUS NASHELSKY 저
전자 회로 설계 - 연규호 저
http://blog.naver.com/earthshake/150029056492
전파 정류
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
전자 회로 설계 - 연규호 저
http://blog.naver.com/earthshake/150029056694
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