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ntegrity) 가 좋지 않다는 것이다.
[그림 5] [그림 4]의 문제 해결
[그림 5]는 전자장론 강의노트에서 발췌한 그림으로 신호선의 인덕턴스 성분을 병렬로 캐패시터를 달아줌으로써 SI 문제를 해결할 수 있다. 이는 디커플링 캐패시터와는 다른 개념
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구조용 재료를 사용함에 있어서 사용 목적에 따른 특성을 적용하기 위해 재료를 판별할 수 있는 충격시험의 중요성을 알 수 있었다.
☞ 참고 문헌
- 한국 공업규격 [KS B(0809, 0801, 5522, 5544)]
- 최신 재료역학 (동명사)
- 최신 기계재료학 (보문당)
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구조물에서 일어나는 저응력 취성파괴가 일어나기 쉬운것과 상기의 천이온도와 밀저한 관계를 가진다는 경험에서 인성의 판정기준으로서 실용적으로 사용된다.
고온충격 시험은 별도로 준비한 진공, 또는 분위기 로에서 시험편을 가영하여
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구조 및 명칭 >
□ 샤르피(Charpy) 충격기의 물성치
Max. Capacity
Hammer Weighf(해머무게)
Lift Angle(올려지는 각도)
Striking Center Distance(중 심 거 리 )
ⅱ. 시편(S45C, Al)
< 강제(S45C) >
< 알루미늄(Al) >
< 충격위치 및 시편 구조 >
▷ 시험에 영향
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구조 및 원리......................................2
1-2-1. 유기 반도체에서의 빛의 흡수..................................2
1-2-2. 반도체 고분자/C60 계면에서의 전자-정공 분리..................3
1-2-3. 전하의 수집 - 광기전력 효과..............................
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