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다이오드의 사용법, 세운
노용한(1996), 금속-산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할, 성균관대학교과학기술연구소
서용준(1974), 터널 다이오드 주파수 변환기의 변환이득 및 잡음특성에 관한 연구, 한양대학교
장수
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터널링 타임은 고전적인 천이시간과 일치하지 않았다. 고전적 천이시간은 장벽두께를 속도로 나눈 양이다. 그러나 단위시간당 양자적 천이시간확률과는 일치하였다.
터널 다이오드는 부성저항을 갖는 반도체 p-n diode 이다. 부성저항은 p-n 접
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-down voltage는 약 9.7V 정도임을 관찰할 수 있다. 또한 이때 제너다이오드의 저항값은 약 12.1 이라는 것을 알 수 있다. 이와 같은 제너다이오드는 터널효과를 이용하여 터널다이오드라고도 부르며, doping 농도에 의하여 항복전압을 조절할 수 있다
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터널 다이오드
터널 다이오드란 n 및 p영역이 모두 변질(degenerately)되게 도핑된 반도체로 된 pn접합 pn접합 다이오드
개요
1. pn접합 전류
1.1 pn접합 내에서의 전하 흐름의 정성적 고찰
1.2 이상적 전류-전압 관계
1.3 경계조건
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<MODE>를 NORM 상태에 두고 <AC-GND-DC>를 DC에 그리고 <VOLTD/DIV> 단자를 10V에 둔다. 회로에 전원을 가하여 출력신호 Vo를 오실로스코를 이용하여 출력파형을 관찰하고 진폭을 측정하여 기록한다.
그림 4- 다이오드 브릿지 전파 정류회로.
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