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실 험 목 적
전압분배 바이어스에 의해서 이미터 접지 트랜지스터 증폭기를 만든다.
○ 이미터 접지 증폭기의 전압 증폭도를 측정한다
○ 이미터 저항을 바이패스(Bypass)하는 증폭도에 미치는 영향을 관찰한다
...
이미터 접지 증폭기
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V_s^2 / 4R_e
이다. 따라서 변환이득은 다음식으로 주어진다.
A_pt = P_l over {V_s^2 /4R_e }
3. 실험기구
직류전원장치, EVM, 트랜지스터(KSC900), 저항
4. 참고서적
전자공학의 기초(이영근 저) 274-281page 1. 목적
2. 이론
3. 실험기구
4. 참고서적
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스간 저항
0.831Ω
무한대
결과
5.발광다이오드(LED)의특성실험
결과
LED전류 - 전압 측정
IF (mA)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VF (V)
1.874
1.916
1.947
1.974
1.996
2.019
2.039
2.059
2.079
2.097
에미터접지트랜지스터의특성실험
결과
e이번 실험에서는 우선 첫 번째
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트랜지스터 접지회로
들어가기 전에
트랜지스터란 ?
일종의 전자 스위치의 역할을 하는 반도체 소자로서 게르마늄, 실리콘을 사용하며 증폭, 발진, 변조 등의 작용과 역할을 하는 스위칭 소자
≪ 그 림 ≫
트랜지스터 동작
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접지 방식
6. TR의 특성과 바이어스 회로
[1] 트랜지스터의 특성
☞ 바이어스란 ? PN 접합에 외부 전압을 가하여 동작 시키는 것
1) TR의 구조
에미터 : TR의 전류 반송자를 주입
베이스 ; 에미터로 부터 주입된 반송자를 제어
컬렉터 : 반송자를
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