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특성의 급격한 변화를 Zener영역(Zener Region)이라고 하며, pn접합의 특성에서 이 특유한 부분이 이용되는 다이오드를 제너 다이오드(Zener diode)라한다.
제너 다이오드의 특성은 거의 수직으로
V_z
인 역바이어스전압에서 떨어진다. 곡선은 양의
V_D
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다이오드와 도선, 회로사이의 접촉이 완전하지 않았던 점을 들 수 있겠다.
7) 참고문헌
일반물리학실험 / 장지익 / 초판 2003/ p163-169 / 전기저항(옴의 법칙 및 다이오드특성) 1) 실험목적
2) 실험이론
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
C. 키르
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다이오드는 높은 역방향 저항을 갖는다.
③ 순방향/역방향 전압-전류 특성
이상적인 다이오드의 경우에 턴-온 전압(turn-on voltage)가 0V로써, 역바이어스에서 완전한 절연체가 되고 순바이어스에서 완전한 도체로 동작한다.
그러나 실제 실리콘
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특성에 대해 기술하시오.
(1)전류-전압 특성에 대하여...
실험 결과 반도체를 접합시켜서 다이오드로 만들었을때 공핍층이 형성되어 보통때는 전류를 흐르지 않는 부도체로 있다가 순방향으로 전류를 흘려주면 전자가 이동하려고 하는 방향과
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[100Ω]-560Ω
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] -450Ω
[1kΩ] - ∞
1N34A
[100Ω]-250Ω
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] - 60Ω
[1kΩ] - ∞
(2) 다이오드의 I-V 특성을 그래프로 그려라.
5. 실험 결론 및 고찰
(1) 실험 결과 반도체를 접합시켜서 다이오드로 만들었을 때 공핍층이 형성
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