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실험이었다. 016. JFET 특성
017. JFET 바이어스 회로
018. JFET 바이어스 회로 설계
019. 공통 소스 트랜지스터 증폭기
020. 다단 증폭기 (RC 결합)
021. 공통 이미터 증폭기의 주파수 응답
022. 차동 증폭기 회로
023. 선형 연산 증폭기 회
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회로
두번째 회로의 컬렉터 귀환 바이어스 회로를 앞선 실험 9의 고정 바이어스와 비교한다면, 전자에서 베이스 저항은 고정 전압 V_CC에 연결된 것이 아니라 트랜지스터의 컬렉터 단자에 연결되어 있다. 그러므로 컬렉터 귀환 구조에서 베이
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BJT와 같이 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)은 차단, 포화, 선형의 세 가지 영역에서 동작한다. JFET의 물리적 특성과 JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도
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전자가 들어가는 끝인 Drain(그러므로 전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실
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클램핑 회로가 파형에 어떠한 영향을 주는지 다이오드와 저항, 커패시터 그리고 건전지를 이용한 회로를 만들어 커패시터에 걸리는 전압과 출력 전압의 측정을 통해 확인 요약문 1
실험내용 1
실험결과 5
문제점 및 애로사항 8
설계프로
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회로를 설계하고, 의 파형을 그리시오. (단 +/- peak 위치에서의 voltage 값과 transiton이 일어나는 timing을 정확하게 표시할 것).
- ,
일 경우 이 되며, 의 값을 위와 같이 로 잡을 경우 R =
968.3396Ω이 된다.
:
Max(V(R2:1))5.90354
Min(V(R2:1))-5.90362
:
Max(V(U1:OUT))
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파형을 그리시오. (offset voltage의 영향은 무시할 것)
- Sol>
(4) Offset voltage가 있을 때, (3)번에서 설계한 적분기의 출력파형이 어떤 식으로 변화할지 파형을 다시 그리시오.
(5) Offset voltage 문제를 해결하기 위하여 예비보고서 (2)번의 회로에 그
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. 이러한 문제를 해결하기 위해 출력을 반전시켜 X가 LOW 논리 레벨로 LED를 켜도록 사용된다. 그림 8-5의 회로는 실험순서 3에서 나온 표현식을 구현한다. 하지만 출력은 전류를 공급하기보다는 수요하도록 반전되어 있다.
5. 그림 8-5의 회로는
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: 1개
저항 : 가변저항 1MΩ 2개, 100kΩ 2개, 10 kΩ 2개
3. 설계실습 계획서
3.1 Current-Steeing 회로 설계
3.1.1 V_DD=V_CC=10V일 때, 출력 전압 ( I )가 1mA가 되도록 <그림 10.1>과 같은 전류원을 설계하라. 이 때 MOSFET M_1, M_2로는 2N7000을 사용한다.
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3.1 MOSFET의 특성
3.1.1.
(a) 센서 (무부하 출력: 정현파, 40mVpp, 5 kHz, 10 kΩ 부하: 20 mVpp)의 출력을 증폭하여 10 kΩ 부하에 1.5Vpp 이상의 전압이 걸리도록 아래 회로와 같은 Common source amplifier를 설계하라. 인터넷에서 2N7000의 data sheet를 찾아서 계획
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