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전자 기초 실험 대영사 1997
안전 관리 위원회 전기 전자 기초 실습 신광문화사 1999
http://www.andong-tec.hs.kr/~elec/study/resist-2.htm
http://nahtec.chonbuk.ac.kr/%BD%C7%C7%E8%BD%C7/%C0%FC%B7%C2%BD%C3%BD%BA%C5%DB/electric/ohm.htm 1. 옴의 법칙
2. 키르히호프의 전압 법칙
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실험값은 옴의 법칙에
성립되게 나온다.
에서 저항 값이 커지면 전류의 값은 작아진다.
직렬로 연결된 저항은 로 구할 수 있다.
병렬일 경우는 로 구해서 계산한다.
참고 문헌
안전 관리 위원회 전기 전자 기초 실험 한올 출판사 1997 p97~
이성
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전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture
/기초실험3/chap5/5_3.htm
http://clapton73.hihome.com/hpage/전기공학/트랜지스터/트랜지스터.html 1.트랜지스터의 정의
2.
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그리고 QB가 High로 출력된 구간 50~60ns에서는 Y2가 출력되었다. 마지막으로 QA와 QB가 Low인 구간 70~80ns에서는 Y0가 출력되었다.
이러한 원리로 작동한다는 것을 예비보고서를 쓸 때에는 몰랐지만 이번 실험을 통해서 알게 되었다.
1. 실험 결과
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실험이라고 할 수 있다. OP-Amp를 가지고 정말 많은 기능을 할 수 있다는 것을 느꼈고, 단지 OP-Amp에 약간의 회로를 변형하여 여러 가지 다양한 형태를 만들 수 있는것이 신기했다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판
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회로를 구성한 후, 오실로스코프를 사용하여 Vi와 Vo의 파형을 관측하고 모눈종이에 도시한다. 이때, 입력신호 Vi는 50㎐, 4Vp-p 정현파를 사용한다.
▲ Vi의 파형 ▲ Vo의 파형
4. 정현파로 하여 실험절차 3을 반복한다.
▲ Vi의 파형 ▲ Vo의 파형
5.
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같은 측정 장비가 필요하다. 이러한 재료와 장비를 이용하면 4비트 산술 논리 회로의 설계뿐 아니라 시뮬레이션과 검증을 효과적으로 수행할 수 있다. 1. 연구의 필요성
2. 기본 개념 정리
3. 예비 실험 계획
4. 실험에 필요한 재료
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전자적 특성과 회로 내에서의 역할을 이해하는 데 중요한 기반 데이터를 제공하였다. 1. 실험의 목적 및 중요성
2. 사용된 장비와 부품 목록
3. 이론적 배경 설명
4. 실험 회로 구성 및 시뮬레이션 방법
5. 실험 진행 단계
6. 예비 데이터
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회로 설계 및 분석에 대한 자신감이 향상되었다. 1. 개요
2. 연구 배경
3. 실험적 결과
3.1 DMM 내부 저항 측정 방법
3.2 2.2 ?F 커패시터를 이용한 시정수 측정
3.3 10 nF 커패시터로 시정수 평가
3.4 저항 단자에서 오실로스코프를 통한 파형 분
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파형을 보면 펄스가 1인 부분과 0인 부분의 시간이 거의 같다. 시작부분의 0인부분의 펄스가 조금 긴 건 약간의 delay가 있었기 때문 이였음을 알 수 있다.
[예비실험 2.] 위의 예제 7.1에서 주기 T가 100usec이고 Duty = 60%가 되도록 회로를 설계하시오
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