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고 저항상태의 두가지 전도상태를 가지며 그러한 bistable 전기적 특성을 메모리 소자로서 응용한 차세대 비휘발성 소자 PoRAM 정의
The Structure of PoRAM
PoRAM의 구동원리
PoRAM의 공정
The Advantage of PoRAM
PoRAM의 향후 전망
PoRAM의 특허 동향
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램과 Po램, Re램 등에 대한 기술 개발이 진행되고 있다. 테라급 메모리소자와, 빠른 속도를 가진 S램과 비휘발성 메모리를 단일칩으로 구현한 Mc램, 모바일용 F램과 정보통신용 나노신소자 개발 등도 추진되고 있다.
세계 메모리반도체 시장 1위
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램과 Po램, Re램 등에 대한 기술 개발이 진행되고 있다. 테라급 메모리소자와, 빠른 속도를 가진 S램과 비휘발성 메모리를 단일칩으로 구현한 Mc램, 모바일용 F램과 정보통신용 나노신소자 개발 등도 추진되고 있다.
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메모리 소자의 제작 및 특성 연구, 경희대학교 대학원 석사학위 논문 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
2. 메모리의 계층 구조 개념
3. 메모리 관리 정책
Ⅲ. 메모리의 분류
1. RAM(Random Access Memory)
1) SRA
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램(SRAM)이 있으며 고밀도 집적회로를 사용하여 소형, 대용량화되고 있다.
이와 같이 전원이 끊어지면 정보가 상실되는 것을 휘발성 메모리(volatile memory)라 하고, ROM(read only memory)과 같이 전원이 끊어져도 정보가 지워지지 않는 것을 비휘발성
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