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-표면기하학
-표면과잉(Surface Excess)특성
-결정의 평형 형상 : Gibbs-Wuff 해석
-삼중선에서의 평형
-표면에서의 흡착
-요약
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표면 에너지 A : area
μ : chemical potential n : # of molecular
if T, P, n = const, dG = γdA
: 물질의 표면적 변화에 따르는 자유에너지 변화
③표면에너지와 소결
소결의 구동력 : Excess surface energy의 감소
소결시 일어나는 에너지 변화
: 기체와 만나는 고체
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표면 아래 형성되어 잔류 응력 증가, 전위 생성, void 생성
c) 기판에서 구성요소의 sputtering yield가 다양해져 non-stoichiometric 막을 형성한다.
d) 증착전에 기판 cleaning을 위해 고에너지 이온들이 자주 이용된다.
→ 이 때 결함을 발생시키는 과잉의
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특성에 대한 연구” 건국대학교 석사학위 청구 논문(2000).
[17] Hyun Kyung Han, Sang Young Lee, J. H. Lee, W. I. Yang, Sang-Geun Lee, Frequency Dependence of the Effective Surface Resistance of Thin YBa2Cu3O7-δ Superconductor Films, to be published in J. Korean Phys. Soc.
[18] Kenneth T. Leong, Jame
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Measurement types of AFM
Contact mode
Non-contact mode
Tapping mode
5. Advantage & disadvantage of AFM
6. Examples of surface characterization with AFM
Self-assembled 1,4-dithiane on gold surface
Thiomacrocyclic ionophore (LB film)
7.Biological application
8
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제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증착 표면 43
제 5 장. 결 론 51
참고문헌 52
Abstract 55
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