|
The optimum annealing temperature for the maximum PL yield strongly depends on the film thickness and varies from 800 to 1200 °C.
The PL intensity is directly related to the content of the Si–-N bonds in the SiNx films.
Excessively high annealing temperatures lead to weakened Si–-N
|
- 페이지 6페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2008.06.02
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
특성에 미치는 열처리 효과, 김용운 세경대학 전기전자계열
유기반도체에 대한 연구 논문, 박진호, 영남대학교 응용화학공학부
CuInSe 박막 반도체의 광학적 특성, 이수일, 조선대학교 물리학과
외발자전거는 넘어지지 않는다. 한상복 하늘출
|
- 페이지 11페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2005.10.03
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
특성 비교
구 분
M D F
P B
도장성
표면 도장성이 우수하고 Overlay시 표면결함이 없다
MDF와 동일
가공성
Moulding 및 표면 가공 가능
MDF보다 저하(사용불가)
강 도
합판과 비슷하며 못, 타카작업 가능
PB에 적합한 RDH법 필요
측면가공
측면 가공시 별
|
- 페이지 17페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2012.02.16
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
광학적 구조적 전기적 특성 분석 /
/ 울산대 대학원 / 안진수 / 2003 / p4~7(스핀코팅법),p5(졸-겔 분류그림),
8(발광재료 조사)
③액상 화학공정을 이용한 메조포어 SiO 및 YBCO 필름의 제도와 응용에 관한 연구 /창원대 대학원 / 허순영 / 2005 / p9(졸-겔
|
- 페이지 12페이지
- 가격 1,500원
- 등록일 2009.12.21
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
온도와 유지 시간을 관리해야 한다.
배기 및 가스 충진
- 방전 공간의 청정화
및 방전 안정화
분위기 조성
- MgO층 활성화
- Out gas최소화
- 배기 및 충진 Sys.
- He+Ne(26%)+Xe(~4%)
봉착부터 배기는 필요한 판넬 특성을 얻기 위해 가장 중요한 공정으로
|
- 페이지 10페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2008.12.19
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|