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소재의 개발
7. FRAM의 종류
8. 박막의 필요성과 방법
Ⅲ. MRAM (Magnetic Random Access Memory)
1. 자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
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재료-----------------------------8
2-6-1. 나노결정 반도체 산화물 소재-------------------------------8
3. Experiment------------------------------------------------------10
4. Results & Discussion----------------------------------------------11
5. Conclusion-----------------------------------
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공정장비의 개발을 우선적으로 지원하며, 향후 300mm웨이퍼 시대 및 D램의 고집적화,고속화에 대비 시스템집적반도체 기술개발사업을 통해 국산화가 미진한 장비재료의 국산화율 제고시켜 나가고 있다. 한편, 반도체장비 기술교육센터를 설치
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기술관련 공동시설
확충
수행처
포항공과대학교
전자부품연구원
한국과학기술연구원
예산
239억원
164억원
168억원
기술여건, 시장전망, 업계수요를 종합적으로 고려하여 ‘나노소재재료’와 ‘나노장비공정’분야에 나노기술 혁신기반을
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연구는 전자공학 분야에서 관심의 대상이다. 정보기술(IT)과 나노기술(NT)의 융합기술의 새로운 재료로서 그래핀의 미래는 예측하기 어려울 정도로 중요하다고 생각한다.
참고문헌
1.nano weekly 263, 273호/한국과학기술정보연구원(kisti)/나노정보
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