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분석 : BJT회로의 증폭기로서의 전반적인 동작을 생각해보아라. 전압 이득 υo/υb, υo/υa, υo/υi 그리고 베이스로 흐르는 전류 ib(RS를 통하여) 그리고 나중에 Rinb(베이스입력저항)를 계산하여라. υo/υa는 소스부터 내부저항 RS=10㏀로 인한 이득이
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회로
(1) 책의 그림 7과 같은 회로를 구성하라. 이 때 사각파형 발진기의 진동수는 약 2㎑로 맞추 고 출력 전압을 최대로 두라.
(2) 수직 입력 감도 조정 손잡이와 스위프 시간 조정 손잡이와 트리거를 이용하여 오실로 스코프 화면에 책의 그림 8
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회로의 기호법 표시
[1] 복소수에 의한 벡터 표시
(가) 복소수
① 복소수의 성질
a. 복소수=실수 + 허수
b. (허수)2=음수
c. 허수의 단위는 j 또는 i 로 표시.
d. 복소수 :
e. 절대값 : 복소수의 크기를 나타내는 값.
f. 공액 복소수 : 실수부는 같고
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회로 시뮬레이터보다 간단하므로 정확성은 떨어진다.
타이밍은 정상적으로 내부지연과 적절한 에지의 반전에 필요한 부하의존 지연을 사용해서 다음과 같이 규정된다.
{ T}_{gate } = {T }_{intrinsic} + { C }_{ load } * {T }_{load }
여기에서
{T }_{gate }
=
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회로
직류전압 인가시 vs 직류전압 제거시
인가시
제거시
1) 전류 i
2) 시정수
시정수가 크면 응답이 늦다
3) 특성근
-
-
4) t = 에서의 전류 i
0.632
0.368
2. R-C직렬회로
직류전압 인가시 vs 직류전압 제거시
인가시(충전시 충전전류)
제거시(방전시 방
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회로에서 오실로스코우프를 이용한 위상각 측정
Resistance R,
Capacitance C,
D, cm
Width of Sine Wave Points d, cm
Distance Between Zero Phase Angle , degrees
Rated
Measured Value
1 K
표 45-2. 직렬 RC회로에서 위상각 와 전압의 관계
Resistance Rated Value
Capacitance (Rated Value) C,
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D
±0.5 pF
J
±5 %
E
±1.0 pF
K
±10 %
G
±2.0 pF
M
±20 %
참고문헌
전기전자 회로실험 / 박철원 외2인 / 경문사
기초 전기전자공학실험 /
http://cyber.inha.ac.kr/class/stud/note/lec_no_list.asp
시뮬레이션 결과 분석
시정수τ와 주기T와의 관계에대해 생각해보자.
회로
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회로
ab를 단락 하였을 시, R3에 흐르는 전류 Ia는
Ia = (E/(R1+(R2*R3/(R2+R3)))*R3/(R2+R3)
개방된 컨덕턴스 Go는
Go = 1/(R1*R3/(R1+R3)+R2)가 된다.
이를, 간단한 회로로 하면 다음과 같다
미적분회로
[1]미분 회로
직사각형파로부터 폭이 좁은 트리거 펄스를 얻
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분석 및 토의
가장 놀라웠던 사실은 우리가 실험을 하면서 사용해 오던 파형발생기를 실제로 회로를 통해 구성할 수 있다는 것이었다. 심지어 입력이 존재하지 않는데도 말이다. 초기에 커패시터가 충전되는 시간엔 점점 파형의 크기가 증가
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D. 결론
이번 실험을 통해 Time Constant, Magnitude, Phase, Critical Damping, Resonant Frequency, Q Factor와 같은 회로의 특성들을 실험으로 확인하고 시뮬레이션도 해볼 수 있었다. 이러한 과정에서 여러 실험 기구의 조작에 더 익숙해질 수 있었고, Pspice 프로그
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