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등과 같이 트랜지스터들이 전달게이트로 사용되는 회로에는 적합하지 않았다. 그러나 현재의 논리 시뮬레이터들은 제한적이지만 이와 같은 트랜지스터 회로도 다룰 수 있게 되었다. 1. 회로 수준 시뮬레이션
2. 논리수준 시뮬레이션
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트랜지스터의 Ic-Vbe 특성
-회로해석
베이스-에미터간 전압이 0~0.5V일 때는 콜렉터 전류가 거의 흐리지 않는 차단 상태이다가 베이스-에미터간 전압이 0.6~0.7V일 경우는 콜렉터전류가 매우 급격히 흐르며 더 이상의 Vbe상승은 없다.
-시뮬레이션
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시뮬레이션 기반 안전설계 및 평가기술 확보
-관련기술의 표준화 및 해양안전 관련 국제법규의 제개정 주도(EU)
-공식안전성평가(FSA)기법 개발 및 적용(영국, 노르웨이)
-항만/항로 안전성 종합 평가기술 개발(일본, 미국)
-Modeling & Simulation 기술
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시뮬레이션 4th edition
Navroff Nicholas, 이상헌 역, 가상현실, 김영사, 1995 Ⅰ. 현금흐름 시뮬레이션
1. 현금흐름 시물레이션의 개요
2. 현금흐름 Simulation의 방법
Ⅱ. 몬테카를로 시뮬레이션
Ⅲ. 논리수준 시뮬레이션
Ⅳ. 회로 시뮬레이션(
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트랜지스터 논리회로 설계 및 시뮬레이션, 포항공과대학교 Ⅰ. 게이트와 트랜지스터논리게이트
1. 부정회로(NOT)
2. NAND 회로
3. NOR회로
Ⅱ. 게이트와 NAND(부정 논리곱 회로)게이트
1. N입력 NAND 게이트의 모든 입력을 연결시켜서 1 입력 NA
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