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브리지 전파전류는 전원전압이 양(+)인 동안은 D1, D4다이오드가 도통되어 부하저항에 전류가 흐르고 음(-)인 구간에는 D2, D3가 도통되어 부하저항에 전류가 흐르게 된다. 이때 부하저항에는 (+)인 구간과 음(-)인 구간 모두 한 쪽 방향으로만 전
전력전자 반파정류, 단상 시뮬레이션, ,단상,반파정류,시뮬레이션,단상-단상,사이클로 변환기,단상 브릿지,전파정류,교류제어 시뮬레이션),
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브리지시스템
검류계
4. 실험 방법
①미지 저항의 저항 값을 읽고 기록한다.
②직류 전원의 스위치가 열린 상태에서 미지저항 1개를 포함한 회로를 완성하여 아래 그림과 같이 실험장치 한다.
③전류가 흐르는 방향을 감안하여 측정 리드선을
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전원
4. 전압원
5. 전류원
6. 전원의 결합
7. 키르히호프의 법칙
8. 전원 변환
9. 중첩원리
10. 테브난/노턴 등가회로
11. 등가 저항
실험방법
실험 1. 테브난의 등가회로
실험 2. 노턴의 등가회로
실험 3. 휘트스톤 브릿지 회로
예상결과
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방향이 됨에 따라 전류를 흘려보낼 수 있다. 그리하여 저항양단의 출력전압 파형은 전형적인 전파정류회로의 파형을 보여주고 있다.
실험 2. 브리지형 전파 정류회로
VCB(p-p)
VOUT(p-p)
RL양단간의 직류전압
전압
9.28
2.84
1.506
VCB
VOUT
D1양단간의 전
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브리지에 의한 L의 측정
(1) 정의
표준 자기인덕턴스와 표준저항이 있는 경우의 L의 측정법인데 측정이 간단하기 때문에 잘 쓰인다.
(2) 공식
43. 쉘링 브리지에 의한 C의 측정
(1) 정의
고압측정회로를 사용한다. 미소용량을 측정 할 수 있는데
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단적인 구석에서 나타나는 경우에는 기지저항의 종류를 바꾸어 같은 방법으로 0이 되는 위치를 찾는 다.
5. 기지저항박스의 겉표지에 표시된 저항의 값과 측정용 저항선의 측정위치 등 을 식(5)에 대입하여 미지 저항값을 계산한다.
6. 나머지
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특성 및 반파 정류회로 실험
1) 다이오드 전압 - 전류 특성
2) PSpice 회로도
3) 반파 정류기 실험
4) PSpice 회로도
2. 전파 정류회로 실험
1) 중간 탭 전파정류기
2) PSpice 회로도
3) 브리지형 전파 정류회로
4) PSpice 회로도
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단계까지 실험하면서 휘이트스톤 브릿지의 특성에 대해 많은 것을 알게 되어 의미 있는 실험이 될 수 있었다.
8. 부록
계산 실례(sample calculation)
- 휘트스톤 브릿지 측정 실험에서 전압값의 계산은 (식8)을 이용하여 다음과 같이 계산한다.
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회로를 구성하고 분석하는 능력을 향상시킬 수 있다. 1. 실험 개요 및 목적
2. 실험 장치 및 구성
3. 데이터 수집 및 처리 과정
4. 결과 분석 및 해석
5. 결론 및 향후 연구 방향
6. 실험 중 발생한 오류 및 개선 방안
7. 관련 이론
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의한 특성곡선 추출
- AC측정법에 의한 특성곡선 추출
5. Si 와 Ge 다이오드 특성
- 실리콘 다이오드
- 게르마늄 다이오드
6. 다이오드 브리지
- 대전력 다이오드브리지
- 다이오드 브리지
<첨부> 다이오드에 관한 간단한 문제&풀이
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