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및 실험과정에서의 오차는 항상 있을 수 있기 때문에 그정도의 오차는 허용오차 안에 포함이 된다고 생각합니다.
가역정리 실험데이터 또한 이론값과 매우 근접할 결과라 할 수 있겠습니다. 회로가 단순하면 단순할수록 데이터에 오차를 만
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)
(1) FET를 이용한 콘덴서 마이크 증폭회로
(2) FET를 이용한 적외선 수신기 회로
(3) FET를 스위치로 활용하기
☆ 부 록 ☆
(1) 트랜지스터 도통테스터 및 전극 찾기
(2) 저항기의 용량 표기 및 판독법
(3) 콘덴서 용량 표기 및 판독법 (54page)
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좀더 이해가 필요한 실험이었습니다. 다음 실험을 위해서 몰랐던 부분을 좀 더 공부해야겠습니다. (1)예비보고서
1.제목
2.목적
3.관련이론
4.실험 준비 결과값 예상
5.참고문헌
(2)결과보고서
1.제목
2.목적
3.실험 결과 및 검토
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회로 설계 및 시뮬레이션 방법론
3. 실습을 통한 데이터 수집 및 결과 해석
4. MOSFET 동작 원리 및 응용 사례
5. 시뮬레이션 결과의 신뢰성 검증
6. MOSFET의 전기적 특성 평가 기법
7. 실습 과정에서의 문제 해결 방법
8. 실험 결과를 통한 MOSFET
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회로는 입력저항에 비해 출력저항이 작으므로 부하와 CE 회로사이에 연결하여 부하효과를 감소시키는 amplifier가 된다.
→ 느낀점 : 이번실험은 대체적으로 잘 된 것 같다. 우선 장비고장과 인명피해가 없었고 결과값도 예상했던 만큼 비슷하게
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mA
14.92 mA
18.81 mA
100
15.37 mA
0.129 V
119.15
11.45 mA
14.92 mA
18.807 mA
150
15.36 mA
0.132 V
116.36
11.46 mA
14.93 mA
18.821 mA 1.실험목적
2.실험이론
(1) R-L 직렬회로
(2) R-C 직렬회로
3. 사용기기 및 부품
(1) 기기
(2) 부품
4. 실험방법 및 순서
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좋다는것을 알았다.
또한 이 이론으로 인해 구리와 알루미늄이 열전도도가 좋음으로 인해 용접이 잘 안된다는 것과, 스테인레스는 용접이 잘된다는 것도 알수 있었다. 1. 목적 및 개요
2. 이론
3. 실험
4. 실험 데이터
5. 결 과
6. 고 찰
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및 삼상 전력계를 이용한 방법이 있다.
3전력계법 : 3상회로에서 전력을 측정하기 위하여 중성점 또는 중성선을 기준으로 각 상에 전력계를 설치하는 방 법. 대부분 편리성에 의해 2전력계법을 사용한다. 1. 실험목적
2. 관련이론
1) 대칭 Y
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한다. 이를 위해서는 OR 게이트 의 입력 값중 하나는 ‘1’이 되어야 한다. 실험 결과를 보면 이론상 나와야할 출력값과 결과가 나옴을 볼 수 있다. ① 실험 목적
② 과제
③ 실험 준비물
④ 실험 관련 이론
⑤ 실험 방법
⑥ 실험 결과
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D가 있게 된다. 이 D는 대개 사용 주파수가 높을수록 증가한다. 그러므로 D가 적을수록 넓은 범위의 주파수에서 사용할 수 있다. 이는 병렬 연결 사용시에도 변치 않는다. 1. 실험목적
2. 관련이론
3. 실험계기 및 부품
4. 실험 방법
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