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저항으로 구성된 등가회로로 표현하는 방법으로 테브난의 정
리 및 노튼의 정리를 이해하고, 실험을 통해 확인한다. (2) 전원이 갖고 있는 내부 저항의 영향이 실험 결과에 미치는 영향을 이해하고 실험을 통해 확인한다. 2. 실험 이론
(1) 테
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회로, 전류원은
개방회로로 대치.
3.중첩 원리 적용 : R, L, C 등 선형소자에만 적용.
2)테브냉의 정리
1.테브냉의 정리 : 2개의 독립된 회로망을 접속하였을 때 전원회로를 하나의 전압원과 직 렬 저항으로 대치한다.
2. R0 : 전압원을 단락하고 출
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회로로 바꾸는 방법이
다.
- 테브난 정리 : 다음의 회로처럼 등가회로를 만들어 합성저항을 구할 수 있다. 개방단의 저항은 모든 에너지원이 작동하지 않도록, 전압원을 단락하고 전류원은 개방하여 구한다.
- 노턴의 정리 : 2개의 독립된
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회로, 전류원은 개방회로로 대치.
③ 중첩의 원리 적용 : R, L, C 등 선형소자에만 적용.
[2] 테브냉의 정리
① 테브냉의 정리 : 2개의 독립된 회로망을 접속하였을 때 전원회로를 하나의 전압원과 직렬 저항으로 대치한다.
② R0 : 전압원을 단
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회로,실효값과 평균값의 차이, 그리고 정류기의 필요성 및 사용례와 정류회로의 구성 및 이론등을 배울 수 있었다. 멀티미터가 지시하는 값이
일정하지 않아서 오실로스코프에 나타나는 파형을 기준으로 최대입력값을 7.5V로 잡고
실험을 진
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저항을 변경하는데 있어서 가변저항의 범위를 확인하면서 실험한다. 가변저항은 500Ω과 1000Ω이 준비되어 있다.저항 값을 변경한 것에 대한 회로도를 그림으로 그려서 공식과 함께 정리한다.
4. Data & Results
모든 저항은 3.3
회로
데이터
이론값
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저항의 비율이 정확하게 맞아떨어지지 않는다는 데에서 기인한다. 그러나 대략적으로 이론값과 근사하며, 총 전류는 매우 근사한 값이 도출되었으므로 설계한 회로 역시 키르히호프의 전류법칙을 만족한다고 할 수 있다.
시뮬레이팅 결과 역
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회로의 전반적인 이론과 더불어 실험에 많은 도움을 주신 김성열 조교분께 감사의 말을 전합니다. 수고하셨습니다. □ 실험 과정
□ 실험 결과
□ 실험 과정
□ 실험 결과
□ 실험 과정
□ 공진 주파수
□ 실험 결과
□ 고찰
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저항에서 부분전압 계산법
3) RC 회로
4) CR 회로
3 오실로스코프 단자 및 스위치 기능
4 저항계산
1) 전압측정 및 분석
2) 오차해석
5 RC 및 CR 그래프 및 분석
1) RC 그래프 및 분석
2) CR 그래프 및 분석
3) 오차 및 원인 분
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이론적 배경
(1) 직류 RL 회로의 특성
저항과 이끎개가 직류 전원에 직렬로 연결된 경우를 생각해 보면 이끎개에 걸리는 전위차는
V_L =L di over dt
이므로 키르히호프의 법칙에 따라
L di over dt + iR `= epsilon
이고 이 미분방정식을 풀면
i(t) = epsilon
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