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매우 근사한 값이다.
VCD의 측정값은 3.36V였는데, 이는 시뮬래이션을 통한 이론값 3.333V와 매우 근사한 값이다.
따라서 무부하 전압분할 회로에서 각 저항에 걸리는 전압 V는
Vn = V × (R1 / RT)
로 나타낼 수 있으며, 이를 실험적으로 입증하였다.
과
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회로 >
① RLC회로상자에 저항, 코일, 콘덴서를 연결하여 R-L-C회로를 구성한다.
② <R-C회로> 실험에서와 같은 방법으로 실험하되 전류의 값을 10에서부터 시작한다.
5. 분석
표1 ) R - C 회로
Rm
(이론)
(측정)
(이론)
10
100
0.7V
2.0V
2.1190V
3V
0.07A
0.
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97
I3
2.5
I3
2.5
I3
2.506
인가전압이 10V일 때, 각 저항값과 전류값의 이상적인 회로에서의 이론값, 실제 구성된 회로에서의 이론값, 실제 측정값은 위 표와 같다.
이상적인 회로는 회로의 전류가 5mA가 되어야 하나, 실제로 구성한 회로는 R2가 조금
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이론값과 거의 일치했다. 직렬회로에서는 모든 저항에 같은 크기의 전류가 흐르므로 저항이 큰 곳일수록 많은 전압이 걸리는 것을 확인 할 수 있었다. 두 개의 루프가 있으므로 각각의 루프에 KVL을 적용시켜보면 일치하는 것을 확인 할 수 있
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저항과 인덕터를 직렬로 구성한 회로인 RL직렬회로에 정현파 교류전원을 인가시켜 오실로스코프로 V를 측정하여 눈으로 확인하고 Cursor 기능을 이용해 둘의 위상차를 측정하는 실험과 교류전류 I와 교류전압 V의 실효치를 측정하여 이론값과
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저항을 갖는 정전류원 회로를 사용해야 한다.
3. 차동증폭기의 DC 회로해석
이므로
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이론
4. 차동증폭기의 AC 회로해석
1) 차동모드
① 단일 입력 ② 차동 입력
2) 공통모드
5. 정전류원을 이용한 차동 증폭기
공통 모드 전압 이득을 이상적
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이론
1. 저항의 직렬, 병렬 결합
2. 단락과 개방
3. 전원
4. 전압원
5. 전류원
6. 전원의 결합
7. 키르히호프의 법칙
8. 전원 변환
9. 중첩원리
10. 테브난/노턴 등가회로
11. 등가 저항
실험방법
실험 1. 테브난의 등가회로
실험 2. 노턴의 등
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휘트스톤 브릿지
브릿지회로는 다양한 형태로 존재한다. 이것은 작은 양의 값을 정밀하게 측정하는데 쓰이게 된다. 휘트스톤 브릿지는 저항 값을 측정하는 브릿지회로이다. 1. 실험목적
2. 개요
3. 실험장치
4. 실험절차
3. 이론
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3) 테브닌 등가회로
① 등가 회로로 고치려고 하는 회로를 본래의 회로망으로부터 떼어 낸다.
② 개방 회로 전압 를 구한다.
③ 회로에 존재하는 모든 독립 전원들을 제거한 다음, 단자에서 회로 쪽으로 들여다본 저항, 즉 를 구한다.
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및 장비
○ 전압센서
○ 기초회로 실험 판
○ 축전기 , 110 uF, 330uF
○ 저항기 , 100옴, 330옴 11. 축전기와 전기회로
1.실험목적
2.배경이론
3.실험준비물 및 장치
4.실험방법
5.실험장비 설정
6.데이터분석
7.결과
8.고찰
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