|
회로이론 시간에 수식으로만 접하던 저항, 인덕터의 임피던스를 직접 측정하고 실험과정을 통해 직접 증명하는 과정은 평소 아무 생각 없이 외우고 사용하던 식의 의미와 원리를 이해하는데 많은 도움이 된 것 같다. < 결 과 보 고 서 >
|
|
|
회로이론 시간에 수식으로만 접하던 저항, 캐퍼시터의 임피던스를 직접 측정하고 실험과정을 통해 직접 증명하는 과정은 평소 아무 생각 없이 외우고 사용하던 식의 의미와 원리를 이해하는데 많은 도움이 된 것 같다. < Part 1 , and versus F
|
|
|
A]
교점 K의
V_D
,
I_D
의 값은
V_D
= 0.82 [V]
I_D
= 45 [mA]
V_R
= E -
V_D
= 9 - 0.82 = 8.18 [V]
-이상적인 다이오드와의 차이
V_D
의 차이는 0.6 - 0.9 [V] 정도
I_D
의 차이는 E가 크면 작다.
I_D
의 계산식
I_D
= (E-
V_D
Q) / R [A]
참고서적 : 회로이론
현대전기회론이론
|
|
|
A. 잘한 점
회로이론에서 시상수와 RC, RL회로에 대하여 배워 저항의 변화에 따른 시상수변화, 과도응답의 파형을 쉽게 이해할 수 있었다.
B. 부족한 점
미분방정식이 이용이 미숙하였고, 실험 3.(3)의 이유를 생각하는데 보이는 회로에만 집중하
|
|
|
회로를 PSpice로 시뮬레이션하고 결과를 표에 기록했다.
Rs
Im
Is
10[Ω]
10[mA]
90[mA]
5. 기타
[3. 실험-1]에서 전압분배기 실험의 이론값을 따로 계산해보았다.
RMt
0(연결하지 않음)
100[Ω]
200[Ω]
300[Ω]
1[KΩ]
V
1[V]
2[V]
3[V]
4[V]
11[V]
[3. 실험-2]에서 전류분류
|
|
|
실험에서는 역으로 하지 않았음에도 값이 나오는게 이상했습니다. 책이 잘못된 것인지 한번 더 확인해봐야 할 것 같습니다.
오늘 실험에서는 변압기의 활용방법을 많이 알게 되었습니다 회로이론이나 전기기기에서 배웠던 전압과 전류, 권선
|
|
|
회로
중첩의 정리 이용
②, ⑩, ⑪
V1
4.40[V]
4.47[V]
거의 일치
V2
7.67[V]
7.59[V]
V3
-1.34[V]
-1.36[V]
③, ⑫, ⑬
I1
2.00[㎃]
2.01[㎃]
거의 일치
I2
2.18[㎃]
2.30[㎃]
I3
-0.29[㎃]
-0.29[㎃]
실험단계
구분
측정값
참고사항
1차 변형 회로
2차 변형 회로
⑤, ⑧
V1a/V1b
6.42
|
|
|
회로, 또는 방법이 틀렸다면 왜 틀렸다고 생각하는가?
오실로스코프와 함수발생기는 회로실험에서 가장 많이 사용되는 장비들인데 아직 사용법이 익숙하지 않아 실험을 하는 데 많은 어려움이 있었다.
실험을 할 때마다 오실로스코프나 함
|
|
|
A,B,C 세 단자 중에서 A-C가 전체저항을 의미하는 것이며 A-B와 B-C의 합이 A-C전체저항이 된다는 사실을 알았습니다. 그리고 저항의 직렬+병렬 연결된 회로에서는 실험적으로 Ohm의 법칙을 확인할 수 있었습니다. 측정값의 오차를 보니 실험 자체
|
|
|
점이 아쉬운 부분으로 남는다.
4. 참 고 자 료
① 일반물리학 / 이영재 외 9명 / 형설출판사
② 회로이론 / 김동희 외 2명 / 인터비젼
③ http://blog.naver.com/nanomate?Redirect=Log&logNo=110010435683
④ http://blog.naver.com/love4youkr?Redirect=Log&logNo=60007797115
|
|
메뉴펼치기
