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통해서 배웠던 이론을 접목시킬 수가 있었던 실험이었다. 1. 실험목적
2. 장치 및 기구
3. 이론
(1)휘트스톤 브릿지의 기본 원리
(2) 슬라이드-와이어(Slide-Wire)형 휘트스톤 브릿지의 원리
4. 실험방법
※주의사항
6. 결과
7. 토의
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저항을 읽은 값과 휘스톤 브리지에서 얻은 저항값, 측정저항
즉, 멀티테스터를 이용해서 얻은 저항값을 비교해보면, 크게는 값들의 차이가 20%까지
나는 것도 있지만, R5의 경우에서는 값들의 차이가 10Ω, 약1% 미만이 됨을 실험결과를
통해서
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화면조정과 전원부
수직 증폭부
소인과 동기부
표준위치 조정
2. 검류계의 내부 저항 측정
다르송발계기
전류계
전압계
(1)계산을 통한 전류계의 내부 저항 측정
(2)휘트스톤 브리지를 이용한 검류계의 저항 측정
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예비레포트
- 전압, 전류, 저항에 관한 기본(옴의 법칙)
- 직류와 교류
- 트랜스의 작동원리
- 전해콘텐서, 세라믹 콘덴서, 다이오드, 레귤레이터 기능, 종류, 사용방법
- Bread board, 오실로스코프, 테스터 기능 및 사용방법
4. 결과레포트
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중요한 전류나 저항의 개념에 대하여 좀더 다가 갈수 있던것 같다. 그리고 얼마 전 전자전기 수업에서 통해서 배웠던 이론을 접목시킬 수가 있었던 실험이었다. 1. 실험목적
2. 장치 및 기구
3. 이론
4. 실험방법
5. 결과
6. 토의
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as a plug-in type. 단일 전류센서를 갖는 단상 반브릿지 능동전력필터
1. 서론
2. 능동전력필터의 원리
3. 단일 전류센서 능동전력필터
4. 시뮬레이션 모형과 결과
5. 프로토타입 제작 및 실험
6. 결과
참고문헌
Abstract
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측정 방법
2.4 실험 장치 및 방법
2.4.1 측정 원리
2.4.2 측정 장치의 설계도면
2.4.3 실험에 필요한 부품 및 장비
2.4.4 설계 조건
2.4.5 실험 방법
2.4.6 실험 결과
제 3 장 결 론
3.1 정전기 일반론
3.2
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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저항력 7
2.2.1 수평하중을 받는 말뚝의 해석방법 7
2.2.2 말뚝의 수평저항력 산정 8
제 3 장 모형실험 장치 및 방법 33
3.1 모형말뚝 및 모형지반 33
3.2 하중재하 35
3.3 측정장치 39
3.4 모형실험 방법 42
제 4 장 연구결과 및 분석 45
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2.1 구조 및 동작원리 2
2.2 등가회로 분석 3
2.3 실험장치 구성 및 방법 11
2.3.1 실험장치 구성 11
2.3.2 실험 방법 12
2.4 분석 사항 13
제 3 장 실험결과 분석 14
3.1 결과분석 14
제 4 장 결 론 18
4.1 결론 18
參考文獻 19
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아이디어를 통해 문제를 개선했던 경험에 대해 서술하시오.
2.3 다른 사람들이 생각하지 못한 새로운 방식을 적용하여 좋은 결과를 거둔 경험을 서술하시오.
2.4 우리 회사에 입사하기 위해 어떤 노력을 기울였는지 서술하시오.
3. 면접공유
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