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결핍층
p, n형 반도체 접합부에 전하를 띈 이온들이 쌓이는 영역이 생기는데 이를 결핍
층이라고 한다.
4. 전위장벽, 바이어스
p, n 영역의 전위차를 전위장벽이라고 하고 다이오드에 인가되는 전압을 바이어
스라고 한다.
5. 순방향 바이어
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결핍층 내부의 과잉 침입 아연 때문이라고 보고 있다.
이러한 과잉 침입 아연은 그레인 바운더리를 이동시키게 되며 배리어의 높이를 감소시키게 된다. 이러한 감소현상을 예방하기 위한 표준적인 공정으로는 바리스터를 후소결 공정을 통
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빼냄
스위치특성 : On/Off 작용
결핍층(공간전하 영역)
접합부에 부동의 양이온(도우너)와 음이온(억셉터)만
남고 캐리어는 없다
트랜지스터 & 사이리스터
트랜지스터(Transistor)
세계의 반도체를 연속 접합시킨 구조(Bipolar Junction)
동작 : 전류의
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나)내입계부식성
600~800℃ 범위에서 일정시간 유지하면 입계에 크롬탄화물이 석출되며 석출물 주변에 크롬결핍층이 형성되어 내입계부식성이 저하되는 현상인 예민화의 억제를 위해 크롬보다 고온에서 안정한 탄화물을 형성하는 티타늄(Ti),
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-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다
참고문헌
-http://asic.postech.ac.kr/3.Class/1.Classes/EECE232/exp/2/exp2.pdf
-전자회로, 한건희
-http://cad.yonsei.ac.kr/
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