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실험값)(20mV/div, 2ms/div)
※ R을 오픈했을때 노드 9 출력전압 파형(pspice)(최대값 : 44.115mV)
※ R을 오픈했을때 노드 9 출력전압 파형(실험값)(20mV/div, 2ms/div)
표2. CC BJT증폭기의 교류해석에 관련된 파라메터들
입력저항
Ri=vs /is
전류이득
Ai = io /is
전압
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-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다
참고문헌
-http://asic.postech.ac.kr/3.Class/1.Classes/EECE232/exp/2/exp2.pdf
-전자회로, 한건희
-http://cad.yonsei.ac.kr/
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교류적인 이득은 보상을 시킬 수 있습니다.
BJT와 JFET의 비교
3. JFET 공통 소스 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 ) 1. 목적
2. 이론
3. JFET 공통 소스 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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전기전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학
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험과 마찮가지로 우리가 원하던 값에 도달하지 못했다.
▣ 3.6 Degeneration R, Coupling C, Bypass C의 역할에 대해 서술하라. 설계한 회로에서 Bypass C의 유무에 따른 출력전압을 그래프로 그리고 차이점을 서술하라.
Degeneration Resister
증폭기 성능의 변
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