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측정해 봄으로써 브리지회로에 대해 이해 하는 실험이었다. 8장에서 실험했던 브리지 회로를 구성하여 미지의 저항값을 측정하는 방법과 비슷한데 브리지로 저항, 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕터의 Q지수 커패시터의 D지수 등을 측정하는데 이
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컨덕턴스의 값에 차이가 난 것 같습니다.
-> υc와 υa 측정
측정 :
c) 입력 신호를 0으로 하고, V2를 +15V로 설정한 후, VC=5V가 될 때까지 V1을 키우고, 이 때 V1을 측정하시오.
d) 이제, 노드 I에서 주파수 1kHz의 1V VPP인 사인파를 입력하고, 노드 A와
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따른 |AV|값의 선형성을 확인한다. ① BJT 증폭 회로의 대신호/소신호 동작
② 트랜스컨덕턴스(Transconductance gm)
③ 대신호/소신호 모델
④ 얼리 효과(Early Effect)
① 수식을 이용한 파라미터의 산출
② BJT 회로의 소신호 증폭도 측정
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컨덕턴스를 측정하여 컨덕턴스 플래토(plateau)가 최신이론과 잘 일치함을 증명하였다. 기계적 박리(exfoliation)로 단일층 그래핀 판을 제조하는 기술과 국소적 게이팅으로 전하운반자의 종류와 밀도를 제어하는 기술을 발전시켰다. 실리콘 이후
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컨덕턴스를 측정하여 컨덕턴스 플래토(plateau)가 최신이론과 잘 일치함을 증명하였다. 기계적 박리(exfoliation)로 단일층 그래핀 판을 제조하는 기술과 국소적 게이팅으로 전하운반자의 종류와 밀도를 제어하는 기술을 발전시켰다. 실리콘 이후
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