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MOS의 문턱전압과 k의 값을 어떻게 측정하는지 알게 되었습니다. 그리고 회로를 구성하고, 전압을 측정하여 MOS의 트랜스컨덕턴스를 구하면서 이론으로 배운 것을 확인하여서 좋았습니다. 마지막 실험에서 입력전압이 너무 작아서 측정전압이
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MOS 커패시터
일함수 : Fermi 준위로부터 금속 밖으로 한 전자를 이동하는 데 필요한 에너지
qФm : MOS에서 금속-산화물 계면에 대해 변형된 일함수(modified work function)을 사용(금속의 Fermi 준위에서 산화물의 전도대역까지 측정된 것)
qФs : 반도
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측정값이 이론값과 비슷하게 나왔지만, 몇몇 값들은 이론값과 달랐다. 여러 가지 이유가 있었을 것 이다. 소자가 다를 수도 있기 때문에 그런 것일 수도 있고, 전류계와 전압계 내부 저항 때문 일 수도 있다. 오실로스코프의 저항 때문에 그럴
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파라미터
이론값
시뮬레이션
오차값 %
200uA
202.9uA
1.43%
200uA
202.8uA
1.38%
400uA
405.6uA
1.38%
400uA
400.5uA
0.125%
81.08dB
79dB
2.56%
81.08dB
81.99dB
1.11%
(4) 시뮬레이션을 통한 CMRR dB 측정
설계한 회로의 이론적 CMRR 계산 값이 81.08dB가 나왔고 시뮬레이션 결과의 CMRR
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측정값과의 오차도 크지 않았다. 다음으로는 h파라미터의 측정의 실험이었는데 이것은 공통에미터를 이용하여 실험을 하는 것이었다. 여기서는 h파마미터를 구하는데 이것이 BJT의 속성과 관련된 것이 있고 이를 통하여 BJT소자를 이용하는데
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