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MOS의 문턱전압과 k의 값을 어떻게 측정하는지 알게 되었습니다. 그리고 회로를 구성하고, 전압을 측정하여 MOS의 트랜스컨덕턴스를 구하면서 이론으로 배운 것을 확인하여서 좋았습니다. 마지막 실험에서 입력전압이 너무 작아서 측정전압이
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MOS 커패시터
일함수 : Fermi 준위로부터 금속 밖으로 한 전자를 이동하는 데 필요한 에너지
qФm : MOS에서 금속-산화물 계면에 대해 변형된 일함수(modified work function)을 사용(금속의 Fermi 준위에서 산화물의 전도대역까지 측정된 것)
qФs : 반도
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측정값이 이론값과 비슷하게 나왔지만, 몇몇 값들은 이론값과 달랐다. 여러 가지 이유가 있었을 것 이다. 소자가 다를 수도 있기 때문에 그런 것일 수도 있고, 전류계와 전압계 내부 저항 때문 일 수도 있다. 오실로스코프의 저항 때문에 그럴
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파라미터
이론값
시뮬레이션
오차값 %
200uA
202.9uA
1.43%
200uA
202.8uA
1.38%
400uA
405.6uA
1.38%
400uA
400.5uA
0.125%
81.08dB
79dB
2.56%
81.08dB
81.99dB
1.11%
(4) 시뮬레이션을 통한 CMRR dB 측정
설계한 회로의 이론적 CMRR 계산 값이 81.08dB가 나왔고 시뮬레이션 결과의 CMRR
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측정값과의 오차도 크지 않았다. 다음으로는 h파라미터의 측정의 실험이었는데 이것은 공통에미터를 이용하여 실험을 하는 것이었다. 여기서는 h파마미터를 구하는데 이것이 BJT의 속성과 관련된 것이 있고 이를 통하여 BJT소자를 이용하는데
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소자를 이용한 전자 스위칭 방식의 BLDC 서보 모터로 대체되어가고 있는 상황에 있다. 따라서 DC 모터의 한 부류인 BLDC 모터의 경우 90년대 이후로 컴퓨터 산업을 포함한 정보화 산업의 급속한 발전에 따라 그 생산량이 급성장하고 있다.
이것은
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측정하였다.
그림 35. 입력전압 1
그림 36. 입력전압 2
그림 37. DLL의 동기화 된 파형
9. 결론
DLL은 마이크로프로세서 및 메모리 인터페이스 등과 같은 여러 응용분야에서 필수적으로 사용되고 있다. DLL은 칩간의 통신에서 클럭의 동기화 및 cloc
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파라미터를 변화시켜 이에 따른 웨이퍼의 특성변화를 측정할 수 있었습니다. 이를 통해 Etch rate, Selectivity, Uniformity등의 주요특성이 공정파라미터에 따라 어떻게 변하는지 알게 되었습니다. 이 경험을 통해 얻은 파라미터 변화에 따른 웨이퍼
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소자 분석을 선행하고, 이후 실제 소자 제작 및 측정을 통해 결과를 검증하는 방향을 구상하고 있습니다. 학위 과정 동안 SCI(E)급 저널에 논문을 투고하고, 국내외 학회에 참여하여 연구 결과를 발표함으로써 연구자로서의 기반을 다지고자 합
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소자뿐만 아니라, HV MOS, LDMOS, BCD 기반 복합 모델 개발 등에도 참여하고, AI 기반의 모델 최적화 기법과 반자동화된 측정-추출 프로세스를 통해 SPICE 모델의 정확성과 생산성을 동시에 향상시키는 데 기여하겠습니다. 궁극적으로는 고객사 Tape-ou
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