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12장 테브낭 정리
실험 목적
1. 선형저항성 회로망을 테브낭 등가회로로 변환한다.
2. 여러 가지 부하저항의 효과를 비교함으로써 <목적1>의 회로망과 테브낭 회로가 등가인 것을 증명한다.
이론요약
• 테브낭 정리
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테브낭의 정리 및 노튼의 정리
1. 테브낭의 정리
1) 그림 4-⒜의 회로에서 저항 (100Ω)에 흐르는 전류의 크기와 극성을 측정한다.
⇒ 17.57 ㎃
2) 단자 a-b간의 개방전압을 측정한다.
⇒ 2.5 V
3) 전원 , 를 단락한 후 단자 a-b에서 회로망측을 바라본 등
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된 저항값과 측정한 저항값을 비교해 보아라.
▲ 응용문제
<그림12-4>에 테브낭 정리를 응용해서 쉽게 해답을 구할 수 있는 흥미로운 문제가 제시된다. 이 회로는 비록 이 문제와는 다르지만 양극성 트랜지스터의 바이어스에 사용된 회로
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테브낭의 등가 전압을 구하는 실험을 하였다. 회로에서는 전류원과 전압원이 모두 있기 때문에 중첩의 정리를 사용해야만 테브낭의 등가 전압을 구할 수 있다. 중첩의 정리는 다수의 전원이 있을 때 임의의 소자에 흐르는 전류 및 전압은 단
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정리에 따라 계산해서 그려낸 테브난의 등가회로이다.
테브닌의 등가회로가 일단 완성 되었다. 부하저항에 흐르는 전류는 Ieq가 되어 테브닌 등가회로에서는 다음과 같은 식으로 표현이 된다.
요는 Ieq와 식 (5)에서 구한 IL이 같으면 테브닌의
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