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하기 시작
- 구미2공장 및 미국 현지에 SiC 웨이퍼 생산 공장 증설계획
→ 6인치 SiC 웨이퍼 생산
- 2025년 기준 10배가 넘는 생산능력을 갖출 전망
- 8인치 SiC 전력반도체 웨이퍼에 대한 R&D 또한 진행 중임
ㆍDB하이텍
- 주로 8인치 반도체 웨이퍼를
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디스플레이 구동칩(DDI)을 설계하는 회사로 2020년대 이후 SiC 전력반도체 사업에 진출했으며 이에 LG이노텍 청주공장의 SiC 반도체 제조 장비를 비롯하여 관련 특허권 등 다양한 자산을 인수하였다. 현재 LX세미콘은 청주사업장에서 SiC 전력반도
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반도체 시장의 급성장에 대비하여 차세대반도체인 SiC 전력용반도체기술개발사업을 추진하며, GaN 광소자반도체 기술개발사업은 추진하였다. 장비·재료의 국산화를 추진한다. 차세대 반도체인 256M D램의 생산단계에서는 선·후발 기업간 치열
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력 손실을 획기적으로 절감할 수 있다. 현재 SiC 반도체는 스마트 그리드, 친환경 전력 생산, 송배전 시스템에 필수적이다. SiC 반도체의 또 다른 수요처로 주목하는 시장은 전기차다. 이것을 전기차 전력변환 모듈에 쓰면 배터리 효율을 10% 이
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반도체 온도센서 AD590이 있고 비접촉식 센서에는 Thermopile이 있었다.
백금 측온저항체는 온도가 내려가면 내려갈수록 출력전압도 비례하여 떨어진다는 사실을 알았다. 비접촉식 온도센서는 어느 정도 거리가 멀어지면 멀어질수록 측정되는 값
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반도체라는 특성으로 인해 처리속도, 전력소모, 수명 등의 제반사항에서 큰 장점을 보여 각종 전자제품의 전자표시부품으로 각광받고 있다. 그리고 높은 휘도의 제품들이 생산되면서 앞으로 조명기구의 역할도 대치할 수 있을 것이다. 기존
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반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자이다. LED의 확대는 소형광원 및 색설계가 가능하고 소비 전력이 적어지며 수명이
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전력효과(Photovoltaic Effect)를 이용하여 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환시키는 기술이며 전기를 공급할 수 있는 태양광 발전시스템은 반도체소자인 태양전지, 전기를 저장하는 축전지, 직류전기를 교류로 변환하는 인버터로 구성된다.
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반도체 기술 연구소(Semiconductor Technology Research)도 Auger recombination을 지지한다. 반면, 버지니아 연방 대학의 Hadis Morkoc 그룹은 슈베르트의 전자유출(홀이 양자우물에 비효율적으로 주입되는 데서 기인하는 것으로 여겨지는) 이론을 지지한다.
혼
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반도체와 스마트그리드 분야에서 뛰어난 연구를 수행하는 교수님들과 함께할 수 있다는 점이 매우 매력적이었습니다.
Q3. 연구계획서에서 제안한 연구 주제의 중요성에 대해 설명해 주세요.
SiC 전력반도체는 기존 실리콘 대비 고효율, 고내열
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SiC 및 GaN 기반 고효율 전력변환기 설계와 스마트그리드 적용 기술 연구에 집중하고 싶습니다. 전력반도체 소자는 에너지 효율 향상과 친환경 시스템 구축에 핵심 기술로 부상하고 있기 때문입니다. 또한, 스마트그리드의 분산형 에너지 관리
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전력망을 효율적으로 관리하고, 에너지 소비를 최적화하는 방향으로 발전하고 있습니다. 고효율 반도체 소재인 실리콘 카바이드(SiC)와 갈륨 나이트라이드(GaN)의 도입으로 전력 변환 장치의 성능과 내구성이 크게 향상되고 있습니다. 무선 전
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전력변환 시스템 설계 관련 최신 기술 동향에 대해 알고 있는 내용을 말씀해 주세요.
최근 전력변환 시스템 분야에서는 GaN, SiC와 같은 신소재 반도체 소자의 적용이 활발하며, 이를 통해 스위칭 손실 감소와 고주파 동작이 가능해졌습니다. 또
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웃 설계, 스위칭 주파수 조정 등의 방법을 적용할 수 있습니다.
3) 현대모비스의 전력 변환 기술을 개선할 수 있는 방법에 대해 제안해 본다면?
답변: 차세대 반도체 소자인 SiC(Silicon Carbide) 기반의 전력 변환 회로를 도입하면, 기존 실리콘 소
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