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Ⅲ-Ⅴ족 반도체 태양전지 기술(1/4)
[Si 태양전지와 InGaP/InGaAs/Ge 태양전지 흡수스펙트럼 비교]
Band Gap 크기 순으로 적층된 각각의 셀
* 가장 밴드갭이 큰 물질이 Top 셀
* Top 셀이 짧은 파장부분 스펙트럼 흡수
직렬연결 구조 – 전류는 제한
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박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 제작(2/9)
GaAs Substrate 위에 AlAs, epi layer 등 역성장
MOCVD, MBE 방식 역성장
Band gap이 큰 순으로 성장
Protection Layers
AlAs(희생층)과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재
HF로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 1. 박막형 Ⅲ-Ⅴ족
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태양전지”.
[2] 배우진, 삼성전자 LCD 총괄책임 연구원, “전도성 고분자 유기태양전지”.
[3] 한국과학기술정보연구원(KISTI), “태양광 발전에 관한 기술동향분석”,
p.31∼34(2006).
[4] 이수형, 전북대학교 화학공학부, “Fabrication of polymer devices”
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태양전지 종류
4.1 실리콘 태양전지
4.1.1 단결정 실리콘 태양전지
4.1.2 다결정 실리콘 태양전지
4.1.3 박막형 다결정 실리콘 태양전지
4.1.4 비결정 실리콘 태양전지
4.2. III-V족 화합물 반도체 태양전지
4.2.1 III-V족 화합물 반도체 태양전지 특징
4.2.
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태양전지에 대해 알아본 실험이었다. 먼저, 유기 태양전지에서 중요한 ITO glass의 세척 과정이 얼마나 신중하게 이루어져야하는지를 실험을 통해 느끼게 되었다. 같은 방식으로 실험을 하였어도 전혀 다른 효율이 나왔다는 결과에서 세척의 진
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