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전압조정
과 정
VAB
IZ, mA
VAA
11
VAB
0.822
20
1.1
12
VAB+0.1
0.922
150
2.5
13
VAB-0.1
0.722
0.93
0.7
표 2-4. 정전압 회로 설계특성
VAA
RS
IL, mA
RL
VOUT
11
500Ω
10
3.3kΩ
0.8
12
250Ω
20
5.1kΩ
0.82
13
1.8kΩ
30
5kΩ
0.83
검토 사항
1. 실험 1에서의 접합 다이오드 바이어스
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다이오드의 역방향 전압-전류 측정(절대값)
실험값
V
0
5
10
15
20
25
30
35
………
210
mA
0
0
0
0
0
0
0
0
………
0
그래프
3. 스위칭 다이오드의 순방향, 역방향 전압-전류 측정
스위칭 다이오드(회색) : 고속on/off특성을 스위칭에 응용
①순방향 전압-전
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실 험 목 표
Zener Diode의 정전압원에 가까운 전류-전압 특성을 이용한 정전압원 회로에서 정전압원의 동작 특성과 제너다이오드 전류-전압 특성 사이의 상관 관계를 이해한다.
제너 다이오드의 pspice 모델을 이해함으로써 제너 다이오드가
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실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드의 용도
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및 종류로 사용되고 있다는 것을 알 수 있다. I. 서론
II. 본론
A. 다이오드의 특성
i. 다이오드의 일반 특성
ii. 다이오드의 온도 특성
B. 다이오드의 종류
i. PN Junction Diode
ii. Schottky Diode
iii. Zener Diode
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실험 목적
2. 관련 이론
(1) 반도체[semiconductor]란?
(2) 반도체의 전기적 특성
(3) p-n 접합 다이오드
(4) 다이오드의 저항
3. 예비보고사항
(1)다음 개념들을 간단히 설명하여라.
(i) 가전자대(valence band).
(ii) 전도대(Conduction band)
(iii) Pauli의
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실험] 다이오드에 관한 실험을 스스로 만들고 이를 실험하라. 실험의 목적과 실험 내용을 구체적으로 기술하라.
(2) BJT
1) 다음 [그림 4-14]의 회로를 이용하여 간의 전압-전류 특성과 사이의 전압-전류 특성을 측정하라(가 0.1V에서 0.7V까지).
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다이오드 전류에 대해 정리하면
이다.
3. 사용 장비 및 부품
- 오실로스코프
- 직류 전원 공급 장치
- 디지털 멀티미터
- 제너 다이오드 : 1N5225
- 저항 : 470Ω, 1KΩ
4. 실험 방법
4.1 파형 정형 회로
그림 2. 전압 안정화 회로
(1) 그림 2의 회로를 구
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다이오드의 전류와 반대방향이 된다.
제너영역의 위치는 도핑 정도를 변화시킴으로써 제어된다. 불순물첨가를 증가시킴으로써 도핑 정도는 증가하여 제너전압은 낮아진다.
4. 실험방법
①싱크로스코프의 기본조정을 행한다.
②교류전원장
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다이오드에 전류가 흐르고 있음을 의미한다.
(3) D1의 방향을 바꾸고, Vd가 1.5V가 되도록 전원 V1을 조절하라. 이때, D1의 cathode에서 anode로 흐르는 전류를 측정하라.
■ 고찰 : 이번에는 다이오드의 방향을 역으로 바꾸고 같은 실험을 하였는데, 예
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