|
및 기호
나. 동작원리
- 게이트 전압이 0일 때 전도채널이 형성되어 있다.
- 게이트 전압이 0 일 때 드레인-소스 전압이 증가하면 전류가 흐른다.
- 전류를 줄일려면 게이트 전압을 +로 증가시켜야 한다.
다. 전달특성
3. 실험 기계 및 부품
|
|
|
실험을 통해서 연산 증폭기가 이상적인 특성과는 약간의 차이를 보임을 알 수 있었다. 입력 단에 0V를 인가하여도 출력에는 약간의 전압이 측정되는 옵셋 전압과 그에 따른 전류가 흐른다는 것을 통해 입력 바이어스 및 옵셋 전류에 대해 공부
|
|
|
실험 23. 평형 브리지 회로
실험 24. 중첩의 원리
실험 25. 테브닌 정리
실험 26. 노튼의 정리
실험 31. 오실로스코우프 동작
실험 33. 오실로스코우프를 이용한 전압 및 주파수 측정
실험 35. 인덕턴스의 특성
실험 37. 인덕턴스의 직병렬 연결
|
|
|
특성이 달라진다고 공부하였으나, 실제로 약 1.5:1정도의 비대칭으로 측정되었는데 이것은 실험상의 오차과정(전압의 정확한 설정 및 계산과정의 반올림 과정, 저항 발생 등)으로 해석 할 수 있다.
또한 CMOS의 특성 중 동작 속도는 두 가지 요소
|
|
|
모양의 반지름도 측정했었는데 각각을 r ₁, r₂라 했다 목적
이론 및 원리
1. 드브로이 물질파
2. 전자를 가속시키는 전압
3. Bragg 반사
4. Debye-Scherrer ring
5. 결정격자면 사이의 거리(d)
실험과정 및 실험방법
결과(데이터)
토의
|
|
|
및 접착력 향상 기술에 관한 연구 이승훈, 서울대학교 대학원, 2006. 1. 박막 증착법의 원리에 따른 구분
2. 스퍼터링 방법 종류와 그에 대한 설명 및 비교
3. 박막의 특성평가 방법들의 종류와 그 원리 및 얻게 되는 정보
4. 입혀진 박막
|
|
|
오드면 0.2V이다. 다이오드에 문턱 전압 이하의 전압 또는 역방향 전압이 걸리면 다이오드는 개방되어 인가된 전압이 모두 다이오드에 걸린다.
3. 실험실습 사용기기 및 재료
직류 전원 공급기
다이오드(Si: 1N4154, Ge:1N34A)
저항 330옴, 1k옴, 2.2.k옴
|
|
|
arametric >
< DC Sweep >
[2]예비 실험 결과
전압(V)
전류(mA)
[3]예비 실험 결과 분석 및 고찰
위 회로는 저항 이 병렬연결 된 제너 다이오드 및 가변 저항 과 직렬연결 되어 있는 회로이다. 따라서 전압 분배의 법칙을 이용하여 제너 다이오드에
|
|
|
이것은 사용한 저항값의 오차 (±5%)와 파형을 읽을 때의 눈금오차로 판단된다.
참고1 ) OP AMP 내부 세부 회로도 (예시) 1. OP AMP의 기본 특성
2. 비반전 증폭기 회로구성 및 동작 원리 실험
3. 반전 증폭기 회로구성 및 동작 원리 실험
|
|
|
다이오드와 연결되어 있다면, 역전압이 어느 정도 높아지더라도 직렬 저항에 의해 역전류값이 제한되어 제너다이오드 양단에는 일정한 역방향의 정전압이 유지되고 검출된다.
실험순서
1. 역바이어스 전압-전류 특성 실험
실험책의 p.22 [그림
|
|
메뉴펼치기
