|
및 특성 그리고 반도체다이오드와의 유사점 및 차이점을 그래프 및 이론을 통해 비교해보았다.
특성에 따라 유사점도 많이 나타났지만 차이점 역시 많이 있다는 것을 알 수 있었다. 전류를 흘렸을 시 각자 성분 및 결합정도에 따라 차이점 및
|
|
|
다이오드의 분류
종류별 특징
다이오드의 특성
일반 다이오드와 쇼트키 다이오드 비교
SBD(Schottky Barried Diode)
브리지 다이오드
다이오드의 구조와 동작
다이오드의 특성 표시
간단한 다이오드 회로
정류 회로
다이오드 회로 및 계산식
|
|
|
바꾼 후, R 양단의 전압 파형, 전압, 부하전류 및 맥동률을 측정하여 기록한다.
(2)Voltage Doubler
그림 7 Voltage doubler 회로
1. 그림 7과 같이 회로를 연결한다.
2. R 값과 C 값을 바꾸어 가면서 기록한다. 1. 실험 목적
2. 실험 이론
3.실험 방법
|
|
|
및 갈륨비소 쇼트키 다이오드가 있다. 쇼트키 다이오드에 흐르는 전류는 가해지는 전압의 지수함수로 나타내며, 반도체 p-n접합 다이오드와 유사한 특성을 나타낸다.
매우 좁은 쇼트키 장벽 내에서 전류제어작용이 행하여지기 때문에 고속
|
|
|
다이오드.
대표적인 것에는 과거에 사용되던 셀렌광석검파기, 실리콘 및 갈륨비소 쇼트키 다이오드가 있다. 쇼트키 다이오드에 흐르는 전류는 가해지는 전압의 지수함수로 나타내며, 반도체 p-n접합 다이오드와 유사한 특성을 나타낸다.
|
|
|
특성에 대해 실험적으로 이해할 수 있었던 유익한 시간이었다고 생각된다. 1. 목적
2. 관련이론
(1) 동기전동기의 기동법
(2) 전력각, 발생토크
(3) 역기전력 및 전기자반작용 전압
(4) 동기전동기 전기자의 등가회로 모델과 페이서도
(5)
|
|
|
실험은 NMOS 증폭기에 대한 실험이었다.
NMOS 증폭기의 공통-소스 증폭기, 공통 - 게이트 증폭기, 공통 - 드레인 증폭기의 특성에 대한 입,출력 전압 파형 측정 및 입력 저항과 출력 저항을
측정 하는 실험 이었다.
실험 할 당시에 회로를 꾸미고
|
|
|
및 광학적 특성 분석. 2004
한철종, 한정인, 곽민기. LED BLU 기술동향, KETI,전자부품연구원 2006.07.26
NIKKEI ELECTRONICS ASIA, 2005. 03월호 “LED 백라이트 도입으로 LCD TV의 색재현성 범위 대폭 향상” 글｜타쿠야 오타니(Takuya Otani)
아이뉴스 24, 2006. 10. 25
|
|
|
전압
나) 전압이득 및 주파수 특성 곡선
2) RL = 1㏀ 일 때
가) 입출력 전압
나) 전압이득 및 주파수 특성 곡선
3. 실험결과
가. Data Sheet
CE 증폭기
CB 증폭기
CC 증폭기
캐스코드 증폭기
RL = 100㏀
RL = 1㏀
RL = 100㏀
RL = 1㏀
RL = 100㏀
RL = 1㏀
RL = 100㏀
RL =
|
|
|
전압
나) 전압이득 및 주파수 특성 곡선
2) RL = 1㏀ 일 때
가) 입출력 전압
나) 전압이득 및 주파수 특성 곡선
실험결과
가. Data Sheet
CE 증폭기
CB 증폭기
CC 증폭기
캐스코드 증폭기
RL = 100㏀
RL = 1㏀
RL = 100㏀
RL = 1㏀
RL = 100㏀
RL = 1㏀
RL = 100㏀
RL = 1
|
|
메뉴펼치기
