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1. 실험 개요
BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정한다. 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는
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공통 이미터 증폭기
2) 이미터 저항을 가진 공통 이미터 증폭기
2. 설계과제 의도
2. 사용할 BJT 소자에 대한 특성분석
1) Maximum ratings
2) THERMAL CHARACTERISTICS
3) ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4) Small-Signal Characteristics
3. 이론적인 설계과정
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BJT 구조
에피텍셜 플라나(epitaxial planar)구조 - PN접합의 3차원 적층구조
NPN 트랜지스터의 도식적 구조
-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다
참고
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Mode, 능동 상태)
2) Saturation Mode (포화 상태) - 스위치 구성에 사용함 (ON상태)
3) Cut-off Mode (차단 상태) - 스위치 구성에 사용함 (OFF상태)
3. 실험결과
실험 1. Transistor 특성 곡선
실험 2. 이미터 공통 증폭기
4. 실험에 대한 고찰
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BJT의 지수 관계식으로부터 베이스-이미터 전압들을 다음과 같이 쓸 수 있다.
≪ … 중 략 … ≫
3. 준비
3.1 대신호 동작
1) 차동 증폭기의 대신호 동작을 실험하기 위한 회로를 그림 18.8에 나타냈다. 그림에서 트랜지스터 Q3와 Q4
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