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게이트가 한 평면상에 놓인다.
2)다결정 실리콘 TFT에 사용된다.
Staggered 형
1)소스와 게이트가 다른평면상에 놓인다.
2)비정질 실리콘 TFT에 사용된다.
역(inverted) staggered 형 TFT (bottom gate 방식)
BCE형 TFT
N+막을 dry etch할때 , over etch정도에 따라
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Gate Line
│ ○4 ITO 상 │ ○8 Conductor │ ○12 TFT-array
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Ⅳ. 실험 방법 – 실험할 패널(CF/TFT)들을 준비한다.
[1] 광학 현미경으로 TFT-array와 Color filter 관
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TFT-LCD란?
TFT-LCD의 정의
-반도체 소자인 TFT를 화소 하나하나에 배열하여 화소 각각을 구동시키는 능동형 LCD이다.
TFT-LCD는 스위치가 on되는 시간에 원하는 전압을 화소에 공급한 후 스위치가 off되는 시간에는 화소가 완전히 고립되어
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결정의 성장에 의한 Hillock 발생을 방지하기 위해서임 (Hillock이란 Al Metal이 Chemical 반응에 의해서 알갱이성으로 성장하는 것인데 이것이 원인이 되어 GDS, PD(Point Defect), 얼룩의 원인이 됨) 1. TFT 공정 Process
2. CF 공정 Process
3. Cell 공정 Process
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TFT Electrical 특성
① TFT sample을 probe station에 넣고 현미경을 이용하여, SMU 1,2,3이라는 probe를 source, drain, gate에 연결시킨다.
② SMU 1번은 Source, 2번은 Drain와 3번은 gate에 접촉 시킨다. 이 연결은 광학적현미경 보면서한다.
③ 암실이 되도록 문을
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