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CZ법)
대표적인 단결정 성장법으로 30여년 전에 CZ에 의해서 발명된 것으로서 CZ법에 의해 성장된 단결정은 전세계적으로 태양전지뿐만 아니라 집적회로(Integrate Circuits, ICs) 제조를 위한 기판으로 가장 널리 사용되고있다.
CZ법에 의해 생산된
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CZ법 동안에 액체 실리콘에 첨가된다. 바람직하지 않는 불순물들은 순수한 실리콘의 성장을 위해서 엄격하게 조절된다.
또 다른 과정은 FZ(float-zone)법인데 매우 낮은 산소 함유량을 가진 실리콘을 생산한다.
잉곳의 직경은 비용절감과 더 많은
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단결정 제조의 의의1)
고체 재료에 대한 기초적인 특성을 연구하거나 공학적으로 응용하기 위하여 단결정을 성장 시켜야 함 ( 결정 전체의 결정학적 방위가 일치하여야 하고, 입계가 존재하면 안됨 )
격자결함, 전위, 미량의 불순물의 존재
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Cz법이 있다.
5.2.2 반도체 가스와 약품
반도체 재료는 웨이퍼 제조공정용, 웨이퍼 처리공정용과 조립공정용으로 나눈다. 웨이퍼 제조공정은 실리콘( 혹은 화합물반도체 )기판을 제조하는 공정으로서 기판소재, 연마재, 고순도가스 등이 사용되
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CZ법)
- 고주파나 저항 가열체로부터 가열되는 석영이나 흑연도가니 속에 다결정 실리콘 덩어리를 넣고 가열하여 액화시킨 실리콘에 종자결정(seed crystal)을 담가 천천히 상부로 끌어 올리면서 회전 시켜 종자 결정방향과 일치하는 단결정을 만
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