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캐시 메모리(Cache Memory)
중앙 처리 장치(CPU)와 상대적으로 느린 주기억장치 사이에서 두 장치 간의 데이터 접근 속도를 완충해 주기 위해 사용되는 고속의 기억장치 이다.
메모리는 계층적 구조를 가지고 있다.
데이터를 빠르게 읽
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메모리의 적중률 개선을 위한 제안
(한국통신학회 논문지 투고 99년 8월)
② 마이크로프로세서 캐쉬메모리의 성능개선
(조용훈 : 대구미래대학 컴퓨터 사이언스과 신혜진, 김정선 한국항공대학교 항공전자공학과)
③ n-way Set Associative Cache와 Ful
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Cache memory (캐시 메모리)
◎ SRAM (static random access memory)
◎ DRAM (dynamic random access memory)
◎ PROM (programmable read-only memory)
◎ EPROM (erasable programmable read-only memory)
◎ EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory)
◎ MaskROM (마스크롬)
*참고사이트
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메모리로 사용
5)S램(STATIC RAM):데이터를 계속 지니고 있음.
->빠르고 안정적이나 비싸다.
S램은 회로구조가 D램보다 복잡해서 집적도가 높아 16MB D램을 만들 수 있는 집적도로
4MB S램을 만들 수 있음.
캐시 메모리에 사용 EX)P4 CPU L2 CACHE 256K
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Memory read cycle에 대해 설명하여라.
4-5 Memory write cycle에 대해 설명하여라.
4-6 메모리 버스(memory bus)에 대해 설명하여라.
4-8 캐시 메모리(cache memory)에 대해 설명하여라.
4-9 가상기억 장치(virtual memory)에 대해 설명하여라.
4-10 보조 기억 장치의
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메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다.
Ⅳ. 참고문헌
Chen, Y. et al., "An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Digest, 2004
박
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MEMORY 영역을 자유롭게 READ/WRITE 할 수 있다. 1. 서론 -----------------
1.1. 동기 및 개요 -----------------
1.2. 목적 -----------------
1.3. 새로운 시스템 -----------------
2. 본론 -----------------
2.1 기본 원리 및 구성 -----------------
2.2 AVR의 특성 ---------------
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