|
사용할 수 있다. 단점은 PAL, 퓨즈 ROM과 같이 한 번 밖에 써넣을 수가 없다.
≪ 그 림 ≫ 1. FPGA의 구조
1-1) Look-Up Table(LUT)
1-2)flip flop
1-3)FPGA의 데이터 처리 과정
1. 앤티 퓨즈 형(anti-fuse type)
2. EPROM, EEPROM 형
3. SRAM 형
4. 복합형
|
|
|
형 플래시 메모리 제품을 개발하였다.
- Flash Memory -
- Flash Memory Technologies -
- Flash Cell Architecture -
2. Flash Memory 특징
플래시메모리는 ROM처럼 전원이 없는 상태에서도 데이터를 저장할 수 있는 메모리로 84년 일본 도시바가 플래시 EEPROM이라 발표
|
|
|
형이다.《 특징》소형 : 18핀 DIP, 28핀 DIP, 40핀 DIP고속 : 최대 1명령 200ns, RISC 아키텍처광범위한 동작 전압 : 최소 2V부터 6V에서 동작, 소비전력 최소 30μA메모리 : 512∼4KB의 EEPROM입출력핀 : LED 직접 구동 가능한 용량, 입력/출력 programmable개발환경
|
|
|
있는 소자로 차세대 Flash형 메모리 기술로써 주목받고 있다.
NOR형 셀
그림 17은 NOR형 Flash EEPROM의 셀 어레이 구조를 나타낸 것이며 그림 18은 그 원리를 나타낸 그림이다. 그림 18 (a)에서 보듯이 부유 게이트 아래의 산화막은 약 100Å의 두께로 되
|
|
|
EEPROM칩을 말하는데, DIMM의 크기, 속도, 전압, 드라이브 성능, 행렬 주소의 개수, DIMM 제작자와 RAM 제작자 등에 관한 구체적인 정보를 담고 있다. 만약 마더보드가SPD를 지원하면, 이러한 설정치에 근거하여 적합성을 최대한 달성하기 위한 BIOS 설
|
|
메뉴펼치기
