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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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,인터비전
○전자회로, ALBERT PAUL MALVINO 저
○GOOGLE 검색을통한사진자료
○전자회로강의자료참고. 1.BJT(Bipolar Junction Transistor) 쌍극성(양방향) 접합 트랜지스터BJT 동작 원리
2..FET(Field Effect Transistor)
3..BJT와 FET 차이점(비교)
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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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트랜지스터의 종류
접합형 트랜지스터(BJT, bi-polar junction transistor)
전계효과 트랜지스터(FET, Field effect transistor)
절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT, Insulated gate bipolar transistor)
유적 발굴기 MOS 구조의 보조 양극 동작 FET(GTBT, Grounded-Trench-MOS Assi
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안전동작 영역도 더 넓습니다. 그리고 Gate 회로가 작아지므로 스누버 콘덴서도 소용량화 되는 이점이 있습니다. 1. VVVF 인버터의 발전
2. 유도전동기 특성
3. VVVF 인버터의 원리
4. GTO(Gate Turn Off Thyristor)
5. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
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