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InGaN Active Layer 성장
Ga-In 혼합소스를 이용한 HVPE법으로 In0.20Ga0.80N Active Layer 성장
라. P-GaN Cladding Layer 성장
Ga-Mg 혼합소스를 이용한 HVPE법으로 P-GaN Cladding Layer 성장
바. Electrode 연결
Ⅲ 결론 및 고찰
LED(Light Emitting Diode, 발광다이오드)는 우리의 일
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InGaN/GaN Multiple Quantum Wells, THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2005 Ⅰ. Introduction
Ⅱ. 이론적 배경
1. 화학 증착법 (chmical vapor deposition, CVD)
2. GaN
2.1. GaN의 특성
2.2. GaN 기질
2.3. GaN 성장에서 문제점
2.4. 단일 선구 물질을 사용
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InGaN의 박막성장이 성공하게 됨에 따라 고휘도 청색 및 녹색 LED의 구현이 가능하게 되었다. InGaN의 경우에는 In의 조성비에 따라 적색에서 near UV까지 발광할 수 있는 박막성장이 가능함에 따라 GaN계의 에피 성장에서는 실제 발광하는 InGaN의 양
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넓은 범위의 밴드갭 조절 가능
: 적외선 가시광선, 자외선
총 천연색 발광소자 가능
Red (InGaAlP/GaAs)
Green (InGaN/GaN)
Blue (InGaN/GaN)
UV (InGaAlN/GaN)
고온- 고전압 등의 악조건에서 내구성이 양호 LED란
White LED 의 정의
White LED 의 구현
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LED: Basic Electrical Properties
1. Diode의 Current-Voltage 특성
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≪ 그 림 ≫
1. p-n juction Diode에서,
Dp Dn
I = e ·A(√─────Na + √─────Nd)e ·e(v-vd)/kt
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