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Ion Sputtering
다. 에너지와 TiN의 우선성장방향과의 관계
3. TiN 박막 증착 실험 방법
4. XRD 분석방법
가. 선정이유
나. Peak에서의
다. ASF
라. 구조인자
마. 박막의 두께와 B의 관계
5. 실험 결과
6. 토의 1. 서론
2. 이론적 배경
가. XRD
나. I
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ion-surface and vapour-surface interactions
(6) 이온 충돌의 두 가지 범주
① 낮은 기판 온도(T< 0.3Tm)에서 high energy ion 충돌
a) coating 특성에 해롭고, resputtering 발생, cascade형성, gas atom과 불순물 포함
b) vacancy같은 점 결함이 표면 아래 형성되어 잔류 응력
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Sputtering의 종류
① DC sputtering :
② RF sputtering
③ reactive sputtering
④ magnatron sputtering
○ RF sputtering
① Self bais :
● Hybrid and modified PVD Processes
․ Ion Platind 법
● PVD박막의 비교
● ARC PLASMA DEPOSITION
● CVD의 종류
■ 유전체의 범주
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이온 표면 착물화
2.5. 표면전하변화
제3절 광촉매 반응과 영향인자
1. 광촉매 반응
2. 광촉매 반응 영향 인자
2.1. 광촉매 특성
2.2. 촉매량
2.3. 도핑 및 복합산화물
2.4. 광의 세기 및 파장
2.5. pH
2.6. 온
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Ion Sputtering, 각도분해법으로 비파괴 깊이방향 분석 가능하다. 하지만 이 완벽해 보이는 XPS도 X-ray의 매우 넓은 영역을 쏘기 때문에 국부적인 부분은 확인을 못하다. 즉 수평적인 해상도가 좋지 못하다. 하지만 Bulk의 정량정인 분석에는 효과적
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