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반도체와 N형반도체의 두 가지 영역을 만든 것으로서 그 경계면(접합면) 부근에는 반송자가 존재하지 않는 층(공핍층)이 있다.
2. 동작
다이오드는 P형측이 N형측보다 높은 전위가 되도록 전압E를 가하면 P형의 다수 반송자(정공)는 전지의 음극
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반도체
1. P형반도체
2. N형반도체
3. 공핍층
Ⅴ. 전자공학과 집적회로(IC)
1. 반도체 IC(모노리틱 IC)
1) 바이폴라 IC
2) 유니폴라 IC(MOS형) : MOS형 FET가 중심
2. 혼성(HYBRID) IC
1) 박막(薄膜) IC : 증착법으로 제조
2) 후막(厚膜) IC : 인쇄법으로 제
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n형 반도체에서 B의 값이 증가할수록 양의 값으로 의 값이 증가함을 보인다.
1) n형 반도체일 때 홀 계수 의 값을 구해보면
, 여기에서
→ 기울기 ×
⇒ 0.1791(mV/mT) × =
∴ = 이론값 =
오차 = ⇒
2) n형 반도체일 때 케리어 농도 n을 구해보면
∴ 이
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반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역에서 결합하여 공핍층을 생성함. 공핍층은 정공이나 전자와 같은 캐리어가는 절연영역이며 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해함. 다이오드에 순방향 전압이
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, 드레인(Drain : D), 게이트(Gate : G) 3개의 전극이 있다.
그림 (19) FET의 구조
① 접합형 FET
㉠ 소스와 드레인 2개의 전극을 가진 n형 반도체 안에 게이트 전극을 가진 p형 반도체를 형성해서 만들어진 것으로 소소와 드레인 사이의 전류가 n형 반도
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n형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자이다. LED의 확대는 소형광원 및 색설계가 가능하고 소비 전력이 적어지며 수
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반도체와 N형 반도체를 사용하고, 빛을 비추면 내부에서 전하가 이동하고 P극과 N극 사이에 전위차가 생긴다. 태양빛의 에너지를 전기에너지로 바꾸는 것이 태양전지이다. 이 태양전지는 지금까지의 화학전지와는 다른 구조를 가진 것으로 ‘
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