|
회로 구성 또한 너무 어려웠다. 그리고 다른 사람들은 기본적인 지식들이 있어 대부분 실험을 잘 해내는 것처럼 보여 불안함까지 느껴졌다. 가장 힘들었던 점은 트랜지스터의 방향을 맞추는 것과 기초적인 접지에 대한 개념조차 없어 E, B, C로
|
|
|
측정
①
②
③
4) 위상 변화 측정
① 저항
② 축전기
※참고자료
PHYSICS : Calculus, EUGENE HECHT 원저, 물리학교재편찬위원회 역, 청문각, 2006
전자 회로 실습, 이계호 이상종 공저, 일진사, 1979
제 7판 물리학 실험, 아주대학교 물리학실험실, 아주대
|
|
|
R의 값이 작아질 때 전제 방전시간이 줄어들기 때문에 R의 값이 더 작은 그림 6-14의
그래프가 R의 값이 큰 그림 6-13의 그래프보다 기울기가 급격하게 떨어진다.
계산해서 나온 파형과 측정해서 나온 파형이 거의 일치함을 실험을 통해서알 수
|
|
|
지점 주변은 더 세밀하게 값을 나누어서 측정하면 좀 더 정확한 공명주파수를 구할 수 있었다. 그 밖에 회로를 구성한 부품들의 저항 등의 사소한 부분에도 원인이 있다고 본다.
3. 참고문헌
연세대 물리실험실(http://phylab.yonsei.ac.kr/)
|
|
|
회로에 흐르는 전류를 i라 하면
rm Vo = i× {(Ra+Rb+Rc)}
VRa = Vo-Eb = i×Ra
VRb = Eb - Ec = i×Rb
VRc = Ec = i×Rc
Vo -( VRa + VRb + VRc ) = Vo - ( Vo - Eb + Eb - Ec + Ec )
= Vo - i×(Ra+Rb+Rc)
= 0 1. 멀티테스터에 의한 전입 및 전류의 측정
2. 멀티테스터에 의한 저항의 측
|
|
|
c)*10^-6;
STR_tr1=2.0/k *STR_M1/a;
gamma1=STR_tr1*2;
tau=G1(1,4)*gamma1;
T_ab=tau*I_p1/ro;
Force_ab=T_ab /l
q=Force_ab/9.81 ◎ 실험 개요
◎ 실험 과정
◎ 실험 고찰 및 분석
1. 측정값 보정
2. 시편 특성에 따른 Shear Stress 계산
3. Shear Modulus G 계산
4. 중공축과 원
|
|
|
= sin (@-180)입니다.
< 미분기 회로 >
< 미분기 동작 파형 >
3. 미분기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 -
시뮬레이션 결과 값: Run to Time :5ms 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 미분기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
|
|
|
실험 목표 및 방법
2. 이론
2.1 온도
2.2 열전달
2.3 열전대를 이용한 온도의 측정
2.4 열전도도의 계산
3. 실험
3.1 실험장치
3.2 실험절차
4. 결과
4.1 실험결과
4.2 계산
5. 고찰
6. 결론
토의사항
사용부호
참
|
|
|
실험치 계산에 필요한 E(young\'s modulus)값이 실험장치에 사용된 빔의 것과 동일한지 여부도 확인해 보아야할 사항으로 생각되어진다.
※참고 문헌※
Figliola, R. S. and Beasley, D. E. ,\"Theory and Design for Mechanical
Measurement\" ,3rd Edition, John, Willey
재료역학
|
|
|
실험은 그동안의 실험했던 것들을 모두 총 집합 해 놓은 것 같았다. 그러나 무턱대고 시작하다 보니 제대로 찾는게 쉽지가 않은 실험이었다. 약간 \'삐\' 하는 소리가 거슬리다 보니 실험에 집중을 하지 못하는 결과를 가져오고 측정에서도 많
|
|
메뉴펼치기
