|
memory location이 있고 column B에는 기억될 데이터 값이 있다. Memory location DCBA는 단지 ME와 WE에 +5V(H)를 연결시킬 때에만 변화한다. 이것은 memory에 적당하지 않은 데이터 값이 들어가는 것을 막고 먼저 기록되어 있는 데이터 값이 파괴되는 것을 막
|
|
|
그리고 다시 Vcc 에 연결해준다. Memory Location 에 저장되어 있는 데이터를 읽기 위해서 Memory Location DCBA를 선택하고 2번 Pin 은 접지시키고 3번 Pin 은 Vcc에 연결해주어서 출력단의 결과로서 데이터를 읽을 수 있다. 데이터 값을 확인 후 2번 3번 Pin을
|
|
|
1. PCRAM 등장배경
-기존 대표적 메모리의 종류
(1) 휘발성메모리:
(2) 비휘발성 메모리:
- 상변화 메모리의 등장(PCM, PRAM, PCRAM 등)
2. PCRAM(phase-change memory) 이란 무엇인가?
(1) PCRAM의 기본원리
(2) PCRAM의 구조
(3)PCRAM의 동작원리
(4) Pcram
|
|
|
벡터 처리(vector processing)
3. 배열 프로세서(array processor) 구조
(a) 분산 메모리 모델
(b)공유 메모리 모델
4.systolic array
5.데이터 플로우(dataflow) 구조
6. Fault Tolerant 컴퓨터 시스템이란?
7.망구조(Network Archtecture)
8.DMA (Direct Memory Access)
|
|
|
D RAM
동적 램(dynamic random access memory) 또는 DRAM은 임의 접근 기억 장치(Random Access Memory)의 한 종류로 정보를 구성하는 개개의 bit를 각기 분리된 축전기(Capacitor)에 저장하는 기억 장치이다. 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1
|
|
 |
메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다.
Ⅳ. 참고문헌
Chen, Y. et al., "An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Digest, 2004
박
|
|
메뉴펼치기
