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회로에서 전압 V0을 갖는 용량의 양 단이 열린 스위치를 통해서 저항 R의 양단에 접촉되어있을 때 시각 t=0에서 스위치를 닫게 되면 전류가 흘러 용량의 양단의 전압 V=V0e-t/RC가 되어 시상수 RC에서 감쇠하고 t→∞에서 0이 된다. 결국 V=V0이라는
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RL회로의 임피던스와 주파수 응답
(1) 실험 방법
① 9mH inductor와 1kΩ 저항으로 (그림. 3)회로를 구성한다.
입력은 직류성분이 없는 삼각함수파로 하며 저항에 걸린 전압을 출력으로 한다.
② 입력단의 주파수를 증가시키면서 주파수 응답과 임피
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파가 입력으로 들어갔을 때 출력이 앞선 경우와 밀린 경우를 나타낸 것이다.
(4) RL회로의 과도응답 및 정상상태응답
커패시터가 한 개 들어 있는 RC회로나 인덕터가 한 개 들어 있는 RL회로를 1계 회로라 한다. 1계 회로는 회로함수가 항상 1계
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RC회로 과도응답 실험에서와 달리 RL회로의 과도응답 실험에서는 저항이 5.1kΩ부터는 원하는 파형과 실험결과를 얻을 수 없으므로, 1kΩ보다 낮은 620Ω, 300Ω 저항을 이용하여 같은 실험을 하여 어떤 결과가 나오는지 측정하여 본다.
5. 데이터
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RL회로의 과도상태 출력값의 변화속도를 결정. 은 일 때
가 됨을 알 수 있다.
- 이 시간을 RL회로의 시정수라고 부르고 로 표기한다.
- 아래 그래프는 와 의 그래프이다. ▣ 실험 목적
▣ 실험 이론
⑴ RC 회로의 과도응답
(2)RL회로의 과도
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응답 확인
위치제어기
- P제어기 사용
- 과도상태 특성과 정상상태 특성의 영향을 고려한 적절한 값 설정
- Damping ratio = 1.5로 선정
속도제어기
- PI제어기 사용
- 과도상태 특성과 정상상태 특성의 영향을 고려한 적절한 값 설정
- BW = 300으로 선
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회로 사전 시뮬레이션도 능숙합니다. 향후에는 Cadence 기반 설계 툴도 추가적으로 학습할 계획입니다.
7. 입사 후 가장 먼저 배우고 싶은 기술은 무엇인가요?
SiC 기반 고전력 회로 설계입니다. 특히 Gate Driver의 동작 특성과 과도 응답 특성, 열
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회로 설계에 대한 깊은 이해를 쌓았고, PWM 제어 시스템 설계 프로젝트에서는 효율적인 전력 제어를 위해 디지털 회로 설계와 마이크로컨트롤러를 활용하여 실제 하드웨어 시스템을 설계했습니다. 이 과정에서 회로의 신뢰성과 응답 속도를
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과도한 지연을 개선할 수 있는 방법을 모색했습니다. 최종적으로, UDP 프로토콜을 사용하여 데이터를 전송하면서 성능을 크게 향상시킬 수 있었습니다.
또한, 보안 문제도 발생했습니다. 스마트홈 시스템의 데이터가 외부에서 유출될 가능성
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