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센서 송·수신(T40-16P/R40-16P)
4EA
9800원
39200원
2
저항265Ω,10KΩ, 8.5MΩ,
260Ω×2 (CR1/4W)
×4EA
40원
800원
3
커패시터22uF,×4(전해lend type-85℃)
×4EA
22원
352원
커패시터300uF×2(전해lend type-85℃)
×4EA
11원
88원
커패시터 10uF(전해lend type-85℃)
4EA
22원
88원
커패
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센서로 분류된다.
가시광 센서
광방사형
강전관, 광전자 증폭관
광전도형
광전도셀
광기전력형
PN접합, avalanche, PNP접합,
PNPN접합
어레이형
array aensor, image sensor
복합형
유도형
반사형
혼합형
광전도 센서
광기전력형 센서
이미지 센서
적외선
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전압이 크다.
교류 측정용은 아니지만 실용성이 있다.
로고스키법
큰 전류에 제한이 없다.
절연가능
고속 펄스에 대응
적분회로가 필요
위치오차에 주의
자속 측정법
교류 직류 가능
이용기술, 이용범위에
문제가 있다.
■자기센서
홀(Hall)효
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회로를 설계하고 작동을 확인해보겠다. 비교기 회로 구성은 무게가 증가함에 따라 저항이 감소하는 원리를 이용해 부하 저항 RM을 직렬로 연결시켜 주고 RM에 걸리는 전압을 이용하여 비교기 회로에 Vref를 이용하여 출력신호를 결정지어준다.
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측정범위를 갖는다.LM35시리즈는 아래그림과 같이 크게 네가지 타입으로 분류된다. 1. LM35 data sheet를 찾아 내부 구조 및 동작 원리를 간단히 요약해 오시오.
2. LM35 주변회로가 [그림 7-2]와 같을 때 측정 가능한 온도의 범위를 구하시오.
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3.1 MOSFET의 특성
3.1.1.
(a) 센서 (무부하 출력: 정현파, 40mVpp, 5 kHz, 10 kΩ 부하: 20 mVpp)의 출력을 증폭하여 10 kΩ 부하에 1.5Vpp 이상의 전압이 걸리도록 아래 회로와 같은 Common source amplifier를 설계하라. 인터넷에서 2N7000의 data sheet를 찾아서 계획
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회로의 전달함수의 크기와 위상의 식으로 그래프로 그리면 위와 같은 그래프가 나온다. 그리고 이 회로는 < 영역의 고주파수 성분만을 통과시킨다.
(3) 대역 통과 필터
RLC 직렬 회로에서의 입력전압 : , R에 걸리는 전압 :,
회로의 전달 함수 :
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전압을 측정하라. 이득은 같은데 왜 출력전압이 변하는지 설명하라…
[1-e] 출력파형이 왜곡될 때까지 Function generator의 출력을 조금씩 증가시켜라. 이러한 왜곡현상을…
[2] 함수발생기를 0.1V의 진폭과 100Hz의 주파수를 갖는 정현파로 맞추
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전압을 갑자기 가해주면 바로 전압이 오르지 않고 서서히 오르는데 이는 축전기가 급격한 전압 변화를 막았다. 이는 전자기 유도에서 전류가 변화하는 방향과 반대로 전류가 생기는 것과 마찬가지의 원리이다.
실험 2의 RL회로에서도 마찬가
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회로 이론에 대한 깊이 있는 이해를 얻을 수 있다. 1. 전류 균형 측정.pdf
2. 등전위선의 측정.pdf
3. 자석 간의 힘.pdf
4. 기하광학의 원리.pdf
5. 헬름홀츠 코일의 응용.pdf
6. 옴의 법칙과 저항의 이해.pdf
7. 물리광학의 탐구.pdf
8. RLC 회로의
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