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코프 1대
b. 교류전압계(멀티미터) 1대
c. 교류전류계(멀티미터) 1대
d. 함수발생기 1대
e. 저항 1kΩ, 10kΩ 각각 1개씩
f. 인덕터 10mH 1개
4. 실험 방법
(1) [시정수 측정] 그림 3과 같은 회로를 꾸미고 스위치를 전원쪽으로 연결하여 충분한 시간이 흐
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전압(Vout)이 시간이 지난 후 약 14.76V로 고정되고, 이것은 전압 이득으로 살펴보면 약 1의 값을 나타내므로 설계의 목적으로 잘 설계가 되었다고 볼 수 있다.
특히, 적분기 회로에서 frequency가 높을 때엔 출력전압이 낮아지게 되고 frequency가 낮을
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회로 해석이 복잡.
2. 불안정할수도 있다.
3. 증폭도가 감소.
다) Zero 바이어스 회로(공핍형 MOSFET)
: 공핍형 JFET와 유사하다.
라) 드레인 궤환 바이어스(증가형 MOSFET)
: on으로 구동되려면 Vt(임계값)보다 큰 G-S 전압이 필요하다. 게이트저항은 MOSFET
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실험은 배율,분류와 △회로,Y회로의상호 변환에 대해서 실험적으로 확인하는 실험이었다.
배율과 분류같은경우는 직렬에서는 전압분배, 병렬에서는 전류분배가 일어남에 따라 각각 전압기
전류기가 어떻게 배율,분류 되는지 알아볼 수 있었
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회로
-브리지회로는 측정 기기와 다른 응용분야에서 널리 사용되는 회로이다.
-브리지회로에 평형을 유지하기 위해서는 가 되어야 한다.
-을 만족할 때, 가 성립한다.
(4)△회로와 Y회로의 상호 변환
-회로 해석에서 필요에 따라 Y(T)회로와 △(
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전압을 측정하여 측정값과 각 저항에 걸리는
전압의 합을 계산하여 기록한다.
- Vps=15V와 각 저항기의 정격값을 사용하여 아래 그림에서 V1~V5를 계산
하여 기록한다.
- 아래 실험4와 같은 회로를 구성한 후 전원을 15V가 되도록 조정한다.
- 구성
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DMM 내부 저항 때문이라고 생각한다.
6) a) 아래와 같이 회로를 구성했을 때 22㏁ 저항에 걸리는 전압은 3.357V였다. 따라서 DMM에 걸리는 전압은 5V-3.357V = 1.643V 였다. 이것을 가지고 비례식을 쓰면,
22㏁ : 3.357V = X : 1.643V
위의 비례식을 계산하면 10.7
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회로 충방전 실험을 통하여 저항과 캐패시터의 값에 따라 시간상수가 변하고 충전되는 시간과 방전되는 시간에 따라 충전되는 용량과 방전되는 용량을 알 수 잇었다. RC 회로 충방전
실험목적
이론
기구 및 장치
실험방법
결과
토
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1= { 1+ } over { }
= { } over {1+ }
그리고
(1+) = , + = , = (1- ) ,
= { } over {1- }
의 관계가 있다.
3.공통 콜렉터 (C-C)회로
에미터에 저항 RE를 접속하여 출력 전압을 에이터에서 취하는 회로 형태로 일명 에미터 폴로워라고도 한다. 전원 VCC는 저항 이거
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와 전압도 측정하여 기록한다.
⑦ {표 2}에 계산값을 기록하고 실험에서 얻은 값과 비교한다.
⑧ 전압을 20로 하고 과정 ⑥, ⑦을 반복한다. 전류 및 전압 측정
목적
이론
1.전류계 연결법
2.전압계 연결법
3.전기분압기 회로
방법
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