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◎Schottky효과
◎터널효과
◎전계효과
◎죠셉슨효과
◎제너효과
◎초전도현상
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Schottky contact의 그래프와 다르게 Ohmic contact 그래프에서는 (+)전압과 (-)전압, 양쪽다 전류가 흐르는 것을 실험을 통해 확인 할 수 있었다. 이러한 현상이 나타나는 가장 근본적인 원인은 Barrier 장벽간의 터널링 효과로 n-type의 기판과 금속간에
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Schottky 전극은 Mo, W, Pt, Cr 등이 적당하다. 소자 설계시 중요한 사항은 Si 기판의 설계이다. 역방향 내압은 반도체 기판의 비저항에서 결정된다. SBD에 있어서는 직렬저항 감소가 일반적이므로 epitaxial WF가 사용되고 이러한 epi층의 비저항과, 두께
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Schottky contact)
1.4 Ohmic contact(Mott Gurney contact)
1.5 Metal-Insulator-Metal(MIM) contact
2. Image-force effect
2.1 Image force effect in case of a single interface
2.2 Image force effect in case of a MIM structure
3. Conduction mechanism
3.1 Electrode-limited currents
(1) Thermionic (
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Schottky 다이오드가 사용되는데 지금까지는 정류효율이 우수한 GaAs Schottky 다이오드 성능 수준의 Silicon Schottky 다이오드로 구현함이 어려워 passive 태그 제조에 어려움이 있었으나 최근 Schottky 다이오드를 Silicon 소자 설계 및 공정기술의 발달로 I
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Schottky Contact과 Ohmic Contact 16
1. Schottky Contact 17
2. Ohmic Contact 20
제 5 절. Poole-Frenkel 효과 23
1. 두꺼운 절연체 (트랩 無) 23
2. 두꺼운 절연체 (트랩 有) 24
3. 두꺼운 절연체 (트랩 有 or 無 ) 25
제 6 절. Fowle
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