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실험을 통해서 『P-type과 N-type 표면에 Al의 증착과 이에 따른 Schottky, Ohmic Contact』을 알 수 있었고 이러한 현상이 나타나는 근본적인 원인으로는 n-type과 p-type이 서로 연결되었을 때, 또는 반도체와 금속간에 연결시에 발생하는 페르미 에너지의
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반도체 다이오드
실험 목적
․ 반도체 다이오드의 직류 특성을 조사한다.
▣ 결과 값 및 종합 검토/논의
1. 고정 전압의 순방향 바이어스의 경우
2. 고정전압의 역방향 바이어스의 경우
3. 다이오드 순방향 특성 곡선
4. 다이오드 역
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contact
1.1 Energy levels in crystals
1.2 Neutral contact
1.3 Blocking contact(Schottky contact)
1.4 Ohmic contact(Mott Gurney contact)
1.5 Metal-Insulator-Metal(MIM) contact
2. Image-force effect
2.1 Image force effect in case of a single interface
2.2 Image force effect in case of a MIM st
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실험적으로 구하고 다이오드 응용 회로인 반파정류회로의 동작 원리 및 출력 파형을 관찰하고 측정한다.
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
다이오드는P형 반도체를와 N접합시켜 각 반도체 영역에 금속성 접속(Metal Contacts)과 리이드선
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구조가 TTL이면서도 3.3V, 2.5V, 1.8V와 같이 저전압에서 동작하
는 소자들도 있는데 이것들은 저전압형의 마이크로프로세서들이 많아짐과 함께 점차 사용이
늘어나고 있다. 1. 실험목표
2. 관련이론
3. 데이터 시트
4. PSpice 시뮬레이션
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